Módulo amplificador de potencia de estado sólido de banda ultraancha de 100 W y 400-6000 MHz con tecnología GaN.

Amplificador de potencia de estado sólido de 100 W y 400-6000 MHz con tecnología GaN. Establece un nuevo referente para sistemas de RF de banda ancha con tecnología GaN de vanguardia. Ofrece una potencia de salida saturada de 51 dBm y un punto de compresión P1dB de 47 dBm, logrando una linealidad excepcional en un ancho de banda ultra amplio, manteniendo una ganancia de señal pequeña de +64 dB. Esto permite la amplificación sin distorsión de formas de onda complejas, incluyendo CW, señales pulsadas, señales de ancho de banda instantáneo amplio y modulaciones de alto orden (por ejemplo, 256QAM), fundamentales para la integridad de las comunicaciones de próxima generación.

Superioridad técnicaUna topología de amplificación distribuida con adaptación de impedancia precisa garantiza una ganancia plana de ±2,5 dB. La gestión térmica avanzada (refrigeración por aire forzado) garantiza un funcionamiento estable de -10 °C a +55 °C, con protección contra la reducción de potencia térmica a 75 °C. La supresión de armónicos superior (-20 dBc para el segundo armónico, -70 dBc para los espurios) y una ROE de entrada de 1,5:1 minimizan las interferencias del sistema. La triple protección (sobrecorriente/térmica/ROE ≤ 3:1) y el aislamiento de 90 dB en estado desactivado mejoran la fiabilidad en campo.

Escenarios de despliegueEsencial para pruebas de estaciones base 5G, amplificación de señal LTE/WiFi y validación de inmunidad a la radiación electromagnética. Su robusta carcasa de aleación con clasificación IP67 (276 × 206,5 × 100 mm, 6 kg) resiste entornos hostiles, ideal para comunicaciones militares, sistemas de guerra electrónica y plataformas satelitales móviles. La monitorización en tiempo real mediante interfaces D-Sub (temperatura: 10 mV/℃; corriente: 100 mV/A) permite el mantenimiento predictivo.

Rendimiento verificadoFunciona a 32 V CC con un consumo de energía de 550 W y permite obtener señales de entrada de 0 dBm a plena potencia mediante conectores SMA-F (entrada) y tipo N (salida). Su tolerancia de almacenamiento (-40 °C a +75 °C) cumple con la norma MIL-STD de robustez ambiental, mientras que su peso de 6000 g optimiza su portabilidad.