Module amplificateur de puissance à semi-conducteurs ultra large bande 100 W 400-6000 MHz avec technologie GaN

Amplificateur de puissance à semi-conducteurs 400-6000 MHz 100 W avec technologie GaN Ce système établit une nouvelle référence pour les systèmes RF à large bande grâce à sa technologie GaN de pointe. Offrant une puissance de sortie saturée de 51 dBm et un point de compression P1dB de 47 dBm, il garantit une linéarité exceptionnelle sur une très large bande passante tout en maintenant un gain de +64 dB en petits signaux. Il permet ainsi une amplification sans distorsion de formes d'onde complexes, notamment les signaux continus, les signaux pulsés, les signaux à large bande passante instantanée et les modulations d'ordre élevé (par exemple, 256QAM), essentielles à l'intégrité des communications de nouvelle génération.

Supériorité techniqueUne topologie d'amplification distribuée avec adaptation d'impédance précise garantit une linéarité de gain de ±2,5 dB. Une gestion thermique avancée (refroidissement par air forcé) assure un fonctionnement stable de -10 °C à +55 °C, avec une protection contre la dégradation thermique à 75 °C. Une suppression harmonique supérieure (-20 dBc pour la seconde harmonique, -70 dBc pour les signaux parasites) et un ROS d'entrée de 1,5:1 minimisent les interférences du système. Une triple protection (surintensité/thermique/ROS ≤ 3:1) et une isolation de 90 dB en mode désactivé renforcent la fiabilité sur le terrain.

Scénarios de déploiementIndispensable pour les tests de stations de base 5G, l'amplification des signaux LTE/WiFi et la validation de l'immunité aux rayonnements CEM. Son boîtier robuste en alliage, conforme à la norme IP67 (276 × 206,5 × 100 mm, 6 kg), résiste aux environnements difficiles et est idéal pour les communications militaires, les systèmes de guerre électronique et les plateformes satellitaires mobiles. La surveillance en temps réel via interfaces D-Sub (température : 10 mV/°C ; courant : 100 mV/A) permet une maintenance prédictive.

Performances vérifiéesFonctionnant sous 32 V CC avec une consommation de 550 W, il convertit les signaux d'entrée de 0 dBm en pleine puissance via des connecteurs SMA-F (entrée) et de type N (sortie). Sa plage de température de stockage (-40 °C à +75 °C) est conforme à la norme MIL-STD relative à la robustesse environnementale, tandis que son poids de 6 000 g optimise son déploiement portable.