Módulo amplificador de potência de estado sólido de banda ultralarga de 100 W (400-6000 MHz) com tecnologia GaN.
Amplificador de potência de estado sólido de 100 W e 400-6000 MHz com tecnologia GaN Estabelece um novo padrão para sistemas de RF de banda larga com tecnologia GaN de ponta. Oferecendo potência de saída saturada de 51 dBm e ponto de compressão P1dB de 47 dBm, alcança linearidade excepcional em uma largura de banda ultralarga, mantendo um ganho de sinal pequeno de +64 dB. Isso possibilita a amplificação sem distorção de formas de onda complexas, incluindo CW, sinais pulsados, sinais de ampla largura de banda instantânea e modulações de alta ordem (por exemplo, 256QAM), essenciais para a integridade das comunicações de próxima geração.
Superioridade TécnicaUma topologia de amplificação distribuída com casamento de impedância preciso garante uma planicidade de ganho de ±2,5 dB. O gerenciamento térmico avançado (resfriamento por ar forçado) garante operação estável de -10 °C a +55 °C, com proteção contra redução térmica a 75 °C. A supressão superior de harmônicos (-20 dBc para o segundo harmônico, -70 dBc para espúrios) e a ROE de entrada de 1,5:1 minimizam a interferência do sistema. A tripla proteção (tolerância a sobrecorrente/térmica/ROE ≤ 3:1) e o isolamento de 90 dB no estado desativado aumentam a confiabilidade em campo.
Cenários de ImplantaçãoEssencial para testes de estações base 5G, amplificação de sinal LTE/WiFi e validação de imunidade à radiação EMC. Sua robusta caixa de liga metálica com classificação IP67 (276×206,5×100mm, 6kg) suporta ambientes hostis, sendo ideal para comunicações militares, sistemas de guerra eletrônica e plataformas de satélite móvel. O monitoramento em tempo real via interfaces D-Sub (temperatura: 10mV/℃; corrente: 100mV/A) permite a manutenção preditiva.
Desempenho VerificadoOperando a 32 VCC com consumo de energia de 550 W, ele fornece potência máxima a sinais de entrada de 0 dBm através de conectores SMA-F (entrada) e tipo N (saída). A tolerância de armazenamento (-40 °C a +75 °C) atende aos padrões de robustez ambiental MIL-STD, enquanto o peso de 6000 g otimiza a portabilidade.
| Faixa de frequência | 0,4-6 GHz | ||
| Potência de saída saturada | dBm | Típ./Mín. | 51/49@ Pino=0dBm |
| P1dB | dBm | Típ./Mín. | 47/44 |
| Ganho | dB | Típ./Mín. | 51/49@ Pino=0dBm |
| Planicidade de ganho | dB | Tipo. | ±2,5@ Pino=0dBm |
| Ganho de sinal pequeno | UM | Tipo. | 64@ Pino=-40dBm |
| Planicidade do ganho de sinal pequeno | :1 | Tipo. | ±3,5@ Pino=-40dBm |
| Isolamento@ Status Desativado | Tipo. | 90 | |
| Potência de entrada | dBm | Tipo. | 0 |
| Supressão do 2º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -20/-15@ Pout=45dBm |
| Supressão do 3º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -25/-20@ Pout=45dBm |
| Supressão Espúria | dBc | Típ./Máx. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| VSWR de entrada | :1 | Típ./Máx. | 1,5/2 |
| Tensão de alimentação | Em | Tipo. | 32 |
| Consumo de energia | EM | Típ./Máx. | 550@ Pino=0dBm |
| Potência de entrada | Pino≤10dBm (Nível de RF de entrada sem danos) | ||
| VSWR de carga | VSWR≤3:1 (O amplificador de potência não está danificado) | ||
| Degradação Térmica | 75℃ | ||
| Conector RF | Entrada: SMA [F]; Saída: TIPO N [F] | ||
| Conector de alimentação | D-Sub 7W2 | ||
| Conector de controle | D-Sub 7W2 | ||
| Dimensão | mm | 276,0 x 206,5 x 100,0 (C x L x A) (tolerância: ±0,5) | |
| Peso | g | Máx. | 6000 |
| Acabamento | liga iridita | ||
| Temperatura | Operação: -10℃ a +55℃; Armazenamento: -40℃ a +75℃ | ||
| Dissipação de calor | A unidade é refrigerada por ar forçado. | ||
| Fios à prova d'água | IP67 | ||
| Ambiental1 | N / D | ||