Modulo amplificatore di potenza a stato solido a banda ultralarga da 100 W (400-6000 MHz) con tecnologia GaN.
Amplificatore di potenza a stato solido da 100 W, 400-6000 MHz, con tecnologia GaN. Stabilisce un nuovo punto di riferimento per i sistemi RF a banda larga con tecnologia GaN all'avanguardia. Offrendo una potenza di uscita satura di 51 dBm e un punto di compressione P1dB di 47 dBm, raggiunge una linearità eccezionale su una larghezza di banda ultra-ampia, mantenendo al contempo un guadagno per piccoli segnali di +64 dB. Ciò consente l'amplificazione senza distorsioni di forme d'onda complesse, tra cui segnali CW, impulsivi, segnali a banda istantanea ampia e modulazioni di ordine elevato (ad esempio, 256QAM), fondamentali per l'integrità delle comunicazioni di prossima generazione.
Superiorità tecnicaUna topologia di amplificazione distribuita con adattamento di impedenza di precisione garantisce una planarità del guadagno di ±2,5 dB. La gestione termica avanzata (raffreddamento ad aria forzata) garantisce un funzionamento stabile da -10 °C a +55 °C, con protezione contro il declassamento termico a 75 °C. La soppressione armonica superiore (-20 dBc per la seconda armonica, -70 dBc spuria) e il VSWR in ingresso di 1,5:1 riducono al minimo le interferenze di sistema. La tripla protezione (sovracorrente/termica/VSWR ≤ 3:1) e l'isolamento di 90 dB in stato disabilitato migliorano l'affidabilità sul campo.
Scenari di implementazioneEssenziale per il collaudo delle stazioni base 5G, l'amplificazione del segnale LTE/WiFi e la validazione dell'immunità alle radiazioni EMC. Il suo robusto involucro in lega con grado di protezione IP67 (276×206,5×100 mm, 6 kg) resiste ad ambienti difficili, risultando ideale per comunicazioni militari, sistemi di guerra elettronica e piattaforme satellitari mobili. Il monitoraggio in tempo reale tramite interfacce D-Sub (temperatura: 10 mV/℃; corrente: 100 mV/A) consente la manutenzione predittiva.
Prestazioni verificate: Funziona a 32 V CC con un consumo energetico di 550 W, pilotando segnali di ingresso a 0 dBm alla massima potenza tramite connettori SMA-F (ingresso) e N (uscita). La tolleranza di stoccaggio (-40℃~+75℃) è conforme alla robustezza ambientale MIL-STD, mentre il peso di 6000 g ottimizza l'impiego portatile.
| Gamma di frequenza | 0,4-6 GHz | ||
| Potenza di uscita satura | dBm | Tip./Min. | 51/49@ Pin=0dBm |
| P1dB | dBm | Tip./Min. | 47/44 |
| Guadagno | dB | Tip./Min. | 51/49@ Pin=0dBm |
| Guadagno Flatness | dB | Tipo. | ±2,5@ Pin=0dBm |
| Guadagno di piccoli segnali | UN | Tipo. | 64@ Pin=-40dBm |
| Planarità del guadagno per piccoli segnali | :1 | Tipo. | ±3,5@ Pin=-40dBm |
| Isolamento@ Stato disabilitato | Tipo. | 90 | |
| Potenza in ingresso | dBm | Tipo. | 0 |
| Soppressione della seconda armonica | dBc | Tip./Max. | -20/-15@ Pout=45dBm |
| Soppressione della terza armonica | dBc | Tip./Max. | -25/-20@ Pout=45dBm |
| Soppressione spuria | dBc | Tip./Max. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| VSWR in ingresso | :1 | Tip./Max. | 1,5/2 |
| Tensione di alimentazione | In | Tipo. | 32 |
| Consumo energetico | IN | Tip./Max. | 550@ Pin=0dBm |
| Potenza in ingresso | Pin≤10dBm (livello RF in ingresso senza danni) | ||
| Carico VSWR | VSWR≤3:1 (L'amplificatore di potenza non è danneggiato) | ||
| Degradazione termica | 75℃ | ||
| Connettore RF | Ingresso: SMA [F]; Uscita: TIPO N [F] | ||
| Connettore di alimentazione | D-Sub 7W2 | ||
| Connettore di controllo | D-Sub 7W2 | ||
| Dimensione | mm | 276,0x206,5x100,0 (LxPxA) (tolleranza: ±0,5) | |
| Peso | G | Massimo. | 6000 |
| Finitura | iridite regolabile | ||
| Temperatura | Temperatura di esercizio: -10℃~+55℃; Temperatura di stoccaggio: -40℃~+75℃ | ||
| Dissipazione del calore | L'unità è raffreddata mediante aria forzata | ||
| Fili impermeabili | IP67 | ||
| Ambientale1 | N / A | ||