GaNテクノロジーを採用した超広帯域100W 400-6000MHzソリッドステートパワーアンプモジュール

GaN技術を採用した400～6000MHz、100Wソリッドステートパワーアンプ 最先端のGaN技術を採用し、ブロードバンドRFシステムの新たなベンチマークを確立します。飽和出力電力51dBm、P1dB圧縮点47dBmを実現し、超広帯域にわたって優れた直線性を保ちながら、+64dBの小信号利得を維持します。これにより、CW、パルス信号、広帯域瞬時信号、高次変調（例：256QAM）など、複雑な波形を歪みなく増幅することが可能となり、次世代通信の完全性にとって不可欠な要素となります。

技術的優位性高精度インピーダンス整合を備えた分散型増幅トポロジーにより、±2.5dBのゲイン平坦性を確保。高度な熱管理（強制空冷）により、-10℃～+55℃の温度範囲で安定した動作を実現し、75℃での熱ディレーティング保護機能も搭載。優れた高調波抑制（第2高調波-20dBc、スプリアス-70dBc）と1.5:1の入力VSWRにより、システム干渉を最小限に抑えます。過電流/過熱/VSWR≤3:1の許容範囲という3重保護と、無効状態での90dBのアイソレーションにより、現場での信頼性を向上させます。

展開シナリオ5G基地局のテスト、LTE/WiFi信号増幅、EMC放射耐性検証に不可欠です。堅牢なIP67規格準拠の合金製筐体（276×206.5×100mm、6kg）は過酷な環境にも耐え、軍事通信、電子戦システム、モバイル衛星プラットフォームに最適です。D-Subインターフェースによるリアルタイム監視（温度：10mV/℃、電流：100mV/A）により、予知保全が可能です。

検証済みのパフォーマンス32VDCで動作し、消費電力は550Wです。SMA-F（入力）コネクタとN型（出力）コネクタを介して、0dBmの入力信号をフルパワーで駆動します。保管時の耐熱温度範囲（-40℃～+75℃）はMIL-STDの環境耐性基準を満たしており、重量6000gは携帯性に優れています。