Ultrabreitbandiges 100-W-Halbleiter-Leistungsverstärkermodul (400–6000 MHz) mit GaN-Technologie

Der 400-6000 MHz 100 W Halbleiter-Leistungsverstärker mit GaN-Technologie Dieses System setzt mit modernster GaN-Technologie neue Maßstäbe für Breitband-HF-Systeme. Mit einer Sättigungsausgangsleistung von 51 dBm und einem P1dB-Kompressionspunkt von 47 dBm erzielt es eine außergewöhnliche Linearität über einen extrem breiten Frequenzbereich bei gleichzeitiger Kleinsignalverstärkung von +64 dB. Dies ermöglicht die verzerrungsfreie Verstärkung komplexer Signalformen wie CW-Signale, Pulssignale, Signale mit großer momentaner Bandbreite und Modulationen höherer Ordnung (z. B. 256QAM), die für die Kommunikationsintegrität der nächsten Generation unerlässlich sind.

Technische ÜberlegenheitEine verteilte Verstärkungstopologie mit präziser Impedanzanpassung gewährleistet eine Verstärkungslinearität von ±2,5 dB. Das fortschrittliche Wärmemanagement (Zwangsluftkühlung) garantiert einen stabilen Betrieb von -10 °C bis +55 °C mit thermischer Leistungsreduzierung bei 75 °C. Hervorragende Oberwellenunterdrückung (-20 dBc für die 2. Oberwelle, -70 dBc für Störwellen) und ein Eingangs-VSWR von 1,5:1 minimieren Systemstörungen. Dreifacher Schutz (Überstrom-/Überhitzungsschutz/VSWR-Toleranz ≤ 3:1) und 90 dB Isolation im deaktivierten Zustand erhöhen die Zuverlässigkeit im Feldeinsatz.

EinsatzszenarienUnverzichtbar für 5G-Basisstationstests, LTE/WLAN-Signalverstärkung und die Prüfung der Störfestigkeit gegenüber elektromagnetischen Störungen. Das robuste Gehäuse aus einer Aluminiumlegierung (276 × 206,5 × 100 mm, 6 kg) mit Schutzart IP67 trotzt rauen Umgebungsbedingungen und ist ideal für militärische Kommunikationssysteme, Systeme für die elektronische Kampfführung und mobile Satellitenplattformen. Die Echtzeitüberwachung über D-Sub-Schnittstellen (Temperatur: 10 mV/°C; Strom: 100 mV/A) ermöglicht vorausschauende Wartung.

Verifizierte LeistungDas Gerät arbeitet mit 32 V Gleichstrom und einer Leistungsaufnahme von 550 W und gibt Eingangssignale von 0 dBm über SMA-F- (Eingang) und N-Stecker (Ausgang) mit voller Leistung aus. Die Lagertoleranz (-40 °C bis +75 °C) entspricht den Anforderungen der MIL-STD-Norm für Robustheit im Umweltbereich, während das Gewicht von 6000 g den mobilen Einsatz optimiert.