GaN 기술이 적용된 초광대역 100W 400-6000MHz 솔리드 스테이트 전력 증폭기 모듈
GaN 기술이 적용된 400-6000MHz 100W 솔리드 스테이트 파워 증폭기 최첨단 GaN 기술로 광대역 RF 시스템의 새로운 기준을 제시합니다. 51dBm의 포화 출력 전력과 47dBm의 P1dB 압축점을 제공하며, 초광대역에 걸쳐 탁월한 선형성을 달성하는 동시에 +64dB의 소신호 이득을 유지합니다. 이를 통해 CW, 펄스 신호, 넓은 순간 대역폭 신호 및 고차 변조(예: 256QAM)를 포함한 복잡한 파형을 왜곡 없이 증폭할 수 있어 차세대 통신 무결성에 필수적입니다.
기술적 우위정밀 임피던스 매칭을 갖춘 분산 증폭 토폴로지는 ±2.5dB의 게인 평탄도를 보장합니다. 고급 열 관리 시스템(강제 공랭식)은 -10℃ ~ +55℃의 온도 범위에서 안정적인 작동을 보장하며, 75℃에서의 열 디레이팅 보호 기능을 제공합니다. 탁월한 고조파 억제(-2차 고조파 -20dBc, 스퓨리어스 -70dBc)와 1.5:1의 입력 VSWR은 시스템 간섭을 최소화합니다. 과전류/열/VSWR≤3:1의 3중 보호 기능과 비활성화 상태에서의 90dB 절연은 현장 신뢰성을 향상시킵니다.
배포 시나리오5G 기지국 테스트, LTE/WiFi 신호 증폭 및 EMC 방사 내성 검증에 필수적인 장비입니다. 견고한 IP67 등급 합금 외함(276×206.5×100mm, 6kg)은 극한 환경에서도 견딜 수 있어 군용 통신, 전자전 시스템 및 이동 위성 플랫폼에 이상적입니다. D-Sub 인터페이스(온도: 10mV/℃, 전류: 100mV/A)를 통한 실시간 모니터링으로 예측 유지보수가 가능합니다.
검증된 성능32VDC 전압에서 550W의 전력을 소비하며, SMA-F(입력) 및 N형(출력) 커넥터를 통해 0dBm 입력 신호를 최대 출력으로 구동합니다. 보관 온도 범위는 -40℃~+75℃로 MIL-STD 환경 내구성 기준을 충족하며, 6000g의 경량 설계로 휴대가 용이합니다.
| 주파수 범위 | 0.4-6GHz | ||
| 포화 출력 전력 | dBm | 일반/최소 | 51/49@ 핀=0dBm |
| P1dB | dBm | 일반/최소 | 47/44 |
| 얻다 | dB | 일반/최소 | 51/49@ 핀=0dBm |
| 이득 평탄도 | dB | 유형. | ±2.5@ 핀=0dBm |
| 소신호 이득 | 에이 | 유형. | 64@ 핀=-40dBm |
| 소신호 이득 평탄도 | :1 | 유형. | ±3.5@ Pin=-40dBm |
| 격리@ 상태 비활성화 | 유형. | 90 | |
| 입력 전력 | dBm | 유형. | 0 |
| 2차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -20/-15@ Pout=45dBm |
| 3차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -25/-20@ Pout=45dBm |
| 허위 억제 | dBc | 일반/최대 | -70/-65@ Pout=45dBm |
| 입력 VSWR | :1 | 일반/최대 | 1.5/2 |
| 공급 전압 | ~ 안에 | 유형. | 32 |
| 전력 소비량 | 안에 | 일반/최대 | 550@ 핀=0dBm |
| 입력 전력 | 핀≤10dBm (손상 없는 입력 RF 레벨) | ||
| VSWR 부하 | VSWR≤3:1 (전력 증폭기는 손상되지 않았습니다) | ||
| 열분해 | 75℃ | ||
| RF 커넥터 | 입력: SMA [F]; 출력:TYPE N [F] | ||
| 전원 공급 커넥터 | 디-서브 7W2 | ||
| 제어 커넥터 | 디-서브 7W2 | ||
| 차원 | mm | 276.0x206.5x100.0 (가로x세로x높이) (허용 오차: ±0.5) | |
| 무게 | g | 최대 | 6000 |
| 마무리 손질 | 합금 이리다이트 | ||
| 온도 | 작동 온도: -10℃~+55℃; 보관 온도: -40℃~+75℃ | ||
| 열 방출 | 본 장치는 강제 공기 냉각 방식으로 냉각됩니다. | ||
| 방수 전선 | IP67 | ||
| 환경1 | 해당 없음 | ||