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Módulo amplificador de potencia Mil-Spec de 100 W y 8-12 GHz con tecnología GaN para sistemas de radar.
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Módulo amplificador de potencia Mil-Spec de 100 W y 8-12 GHz con tecnología GaN para sistemas de radar.

El módulo amplificador de potencia de 8-12 GHz y 100 W integra tecnología GaN para sistemas de radar de especificaciones militares. Ofrece una salida CW de 47 dBm, una ganancia de 55 dB y funciona a temperaturas de -32 °C a 85 °C con una tolerancia de desajuste de carga de 3:1. Ideal para radares de guerra electrónica y control de tiro que requieren una fiabilidad excepcional.

    El módulo amplificador de potencia ZDTECH® de 8-12 GHz y 100 W es un componente esencial con especificaciones militares diseñado para sistemas de radar. Aprovecha la tecnología GaN de vanguardia para ofrecer una gestión de potencia excepcional en las bandas X/Ku. Opera en el rango de 8 a 12 GHz con una salida saturada de 100 W (47 dBm) y una ganancia de 55 dB, lo que mejora el alcance de detección del radar y la resolución de la señal. La tecnología GaN garantiza una estabilidad térmica superior, permitiendo el arranque en frío a -32 °C y un rendimiento continuo hasta +85 °C, cumpliendo con los estándares ambientales MIL-STD-810H.

    Con una arquitectura GaN HEMT de clase AB, el módulo alcanza niveles de espurias ultrabajos de -65 dBc y un tiempo de subida/bajada de pulso de 12:1 (0,2 μs), ideal para el salto de frecuencia ágil en sistemas de radar Doppler de pulso. Con una tolerancia de desajuste de carga de 3:1 y una relación de onda estacionaria (VSWR) de entrada/salida de 1,5:1, mantiene la estabilidad en entornos electromagnéticos complejos. La protección integrada contra sobretemperatura/sobrecorriente y las pruebas de vida acelerada (ALT) de 2000 horas validan un MTBF superior a 100 000 horas, cumpliendo con los requisitos de fiabilidad del ciclo de vida según las especificaciones militares.

    Este amplificador de potencia con tecnología GaN supera las limitaciones de frecuencia de los LDMOS tradicionales, manteniendo una eficiencia de potencia añadida (PAE) superior al 38 % en el rango de 8 a 12 GHz, lo que reduce significativamente el consumo de energía en los sistemas de radar. Su carcasa metálica compacta (110 × 65 × 24 mm) con interfaces SMA-F permite una rápida integración en plataformas militares, incluidos los módulos TR de radar AESA y los pods ECM. Entre sus aplicaciones críticas se encuentran los radares de alerta temprana aerotransportados, los sistemas de radar de control de tiro navales y los radares de vigilancia terrestres, ofreciendo frontales de RF de última generación con tecnología GaN para los sectores de defensa y aeroespacial.

    Aspectos destacados de la actuación:

    Respuesta en frecuencia: planitud de ±0,5 dB en el rango de 8 a 12 GHz.

    --Gestión térmica: sustrato de AlSiC + refrigeración por microcanales

    --Fuente de alimentación: +28 V CC de fuente única (compatible con alimentación militar)

    --Resistencia: clasificación IP67, resistente a la niebla salina y a los hongos.

    Frecuencia de trabajo

    8-12 GHz

    Potencia de salida

    47 máx. (el usuario debe tener cuidado de no exceder los 47 dBm CW) dBm

    Potencia de entrada

    0 típico +5 máx. dBm

    ROE de entrada y salida

    -12 típico. -10 máximo. Para una potencia de salida de 50 W. Nivel máximo.

    Ganar

    55 dB típicos

    ROE de entrada/salida

    Entrada 1,5:1 típico. 2:1 máximo.

    Relación de salida típica 1,5:1, máxima 2:1.

    Desajuste de carga

    3:1 máximo.

    Tiempo de encendido/apagado de RF (apagado)

    0,2 típico. 1 máximo. (10-90% de tiempo de subida/bajada de RF)

    Espurio

    -65 dB máx.

    Clase operativa

    AB en dispositivos de GaN

    Tensión de alimentación

    +25 mín. +28 típico +32 máx. Vcc

    Consumo actual

    0,2 tipo. 2,2 tipo. 12 tipos. 15 máx. A

    Temperatura de funcionamiento

    -32~+85℃ (A bajas temperaturas puede arrancar normalmente)

    Temperatura de almacenamiento

    -46~90℃

    Humedad relativa (sin condensación)

    95 %

    Masa

    450 g

    Dimensión

    110 x 65 x 24 mm (sin conectores)

    Conector RF

    Conector SMA hembra: Entrada RF

    Conector SMA hembra: Salida RF

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