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レーダーシステム向け、GaN技術を採用した軍用規格100W 8-12GHzパワーアンプモジュール
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レーダーシステム向け、GaN技術を採用した軍用規格100W 8-12GHzパワーアンプモジュール

8~12GHz帯100Wパワーアンプモジュールは、軍用規格レーダーシステム向けにGaN技術を統合しています。47dBmのCW出力、55dBのゲインを実現し、-32℃~85℃の温度範囲で3:1の負荷不整合許容度で動作します。堅牢な信頼性が求められる電子戦(EW)レーダーや射撃管制レーダーに最適です。

    ZDTECH® 8-12GHz 100Wパワーアンプモジュールは、レーダーシステム向けに設計された軍用規格の中核部品であり、最先端のGaNテクノロジーを活用してX/Kuバンドで優れた電力処理能力を実現します。8~12GHzの周波数帯域で動作し、飽和出力100W(47dBm)、ゲイン55dBを実現することで、レーダーの探知範囲と信号分解能を向上させます。GaNテクノロジーにより優れた熱安定性を確保し、-32℃でのコールドスタート動作と+85℃までの連続動作が可能で、軍用規格MIL-STD-810H環境基準に準拠しています。

    AB級GaN HEMTアーキテクチャを採用したこのモジュールは、-65dBcの超低スプリアスレベルと12:1のパルス立ち上がり/立ち下がり時間(0.2μs)を実現し、パルスドップラーレーダーシステムにおけるアジャイルな周波数ホッピングに最適です。3:1の負荷不整合許容度と1.5:1の入出力VSWRにより、複雑な電磁環境下でも安定性を維持します。過熱/過電流保護機能を内蔵し、2000時間の加速寿命試験(ALT)により10万時間以上のMTBFを実証し、軍用規格のライフサイクル信頼性要件を満たしています。

    このGaNテクノロジーPAは、従来のLDMOSの周波数制限を克服し、8~12GHzの周波数帯域で38%を超える電力付加効率(PAE)を維持することで、レーダーシステムの消費電力を大幅に削減します。コンパクトな金属筐体(110×65×24mm)とSMA-Fインターフェースにより、AESAレーダーTRモジュールやECMポッドなどの軍用規格プラットフォームへの迅速な統合が可能です。重要な用途としては、航空機搭載型早期警戒レーダー、海軍射撃管制レーダーシステム、地上監視レーダーなどがあり、防衛および航空宇宙分野向けにGaNテクノロジーを搭載した次世代RFフロントエンドを提供します。

    パフォーマンスのハイライト:

    周波数特性:8~12GHzで±0.5dBの平坦性

    --熱管理:AlSiC基板+マイクロチャネル冷却

    電源:+28VDC単一電源(軍用電源対応)

    --堅牢性:IP67規格準拠、耐塩水噴霧性/耐カビ性

    動作周波数

    8~12GHz

    出力電力

    最大47dBm(ユーザーは47dBm CWを超えないように注意する必要があります)dBm

    入力電力

    0標準値 +5最大dBm

    入力および出力VSWR

    -12(標準) -10(最大) 50W出力電力の場合 最大レベル

    55標準dB

    入力/出力VSWR

    入力 1.5:1 標準、2:1 最大。

    出力:標準1.5:1、最大2:1

    ロードの不一致

    最大3:1

    RFオン/オフ(ブランキング)の時間

    0.2(標準値)、1(最大値)(RF立ち上がり/立ち下がり時間10~90%)

    偽物

    -65 最大 dBc

    動作クラス

    GaNデバイス上のAB

    供給電圧

    最小+25V、標準+28V、最大+32Vdc

    現在の消費量

    0.2typ. 2.2型12型最大15個あ

    動作温度

    -32~+85℃(低温時でも正常に起動可能)

    保管温度

    -46~90℃

    相対湿度(結露なし)

    95%

    質量

    450g

    寸法

    110 x 65 x 24mm(コネクタを除く)

    RFコネクタ

    SMAメス:RF入力

    SMAメス:RF出力

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