Modulo amplificatore di potenza Mil-Spec da 100 W 8-12 GHz con tecnologia GaN per sistemi radar

Il modulo amplificatore di potenza ZDTECH® da 8-12 GHz e 100 W è un componente fondamentale conforme alle specifiche militari, progettato per sistemi radar. Sfrutta la tecnologia GaN all'avanguardia per offrire una gestione della potenza eccezionale nelle bande X/Ku. Operando nella banda 8-12 GHz con una potenza di uscita satura di 100 W (47 dBm) e un guadagno di 55 dB, migliora la portata di rilevamento radar e la risoluzione del segnale. La tecnologia GaN garantisce una stabilità termica superiore, consentendo l'avvio a freddo a -32 °C e prestazioni continue fino a +85 °C, in conformità con gli standard ambientali MIL-STD-810H.

Grazie all'architettura GaN HEMT di classe AB, il modulo raggiunge livelli di spurie ultra-bassi di -65 dBc e un tempo di salita/discesa dell'impulso di 12:1 (0,2 μs), ideale per il salto di frequenza agile nei sistemi radar Doppler a impulsi. Con una tolleranza di disadattamento di carico di 3:1 e un VSWR ingresso/uscita di 1,5:1, mantiene la stabilità in ambienti elettromagnetici complessi. La protezione integrata contro sovratemperatura e sovracorrente e i test di durata accelerata (ALT) di 2000 ore convalidano un MTBF superiore a 100.000 ore, soddisfacendo i requisiti di affidabilità del ciclo di vita militari.

Questo amplificatore di potenza (PA) con tecnologia GaN supera i limiti di frequenza dei tradizionali LDMOS, mantenendo un'efficienza di conversione di potenza (PAE) superiore al 38% nell'intervallo 8-12 GHz, riducendo significativamente il consumo energetico dei sistemi radar. L'alloggiamento metallico compatto (110×65×24 mm) con interfacce SMA-F consente una rapida integrazione in piattaforme conformi alle specifiche militari, inclusi moduli TR radar AESA e pod ECM. Le applicazioni critiche comprendono radar di allerta precoce aviotrasportati, sistemi radar di controllo del tiro navale e radar di sorveglianza terrestri, fornendo front-end RF di nuova generazione basati su tecnologia GaN per la difesa e l'aerospazio.

Momenti salienti della performance:

Risposta in frequenza: planarità di ±0,5 dB nell'intervallo 8-12 GHz

--Gestione termica: substrato in AlSiC + raffreddamento a microcanali

--Alimentazione: +28 V CC a singola sorgente (compatibile con alimentazione militare)

--Robustezza: grado di protezione IP67, resistente alla nebbia salina e ai funghi.