Module amplificateur de puissance 100 W 8-12 GHz conforme aux spécifications militaires, avec technologie GaN, pour système radar
Le module amplificateur de puissance ZDTECH® 8-12 GHz 100 W est un composant essentiel conforme aux spécifications militaires, conçu pour les systèmes radar. Tirant parti de la technologie GaN de pointe, il offre une gestion de puissance exceptionnelle dans les bandes X/Ku. Fonctionnant sur la bande 8-12 GHz avec une puissance de sortie saturée de 100 W (47 dBm) et un gain de 55 dB, il améliore la portée de détection radar et la résolution du signal. La technologie GaN garantit une stabilité thermique supérieure, permettant un démarrage à froid à -32 °C et un fonctionnement continu jusqu'à +85 °C, conformément à la norme environnementale MIL-STD-810H.
Doté d'une architecture HEMT GaN de classe AB, ce module atteint des niveaux de signaux parasites ultra-faibles de -65 dBc et un temps de montée/descente d'impulsion de 12:1 (0,2 µs), idéal pour le saut de fréquence rapide dans les systèmes radar Doppler à impulsions. Avec une tolérance aux déséquilibres de charge de 3:1 et un ROS entrée/sortie de 1,5:1, il garantit une stabilité optimale même dans des environnements électromagnétiques complexes. La protection intégrée contre les surchauffes et les surintensités, ainsi qu'un test de durée de vie accéléré (ALT) de 2 000 heures, attestent d'un MTBF supérieur à 100 000 heures, conforme aux exigences de fiabilité du cycle de vie des normes militaires.
Ce convertisseur de puissance (PA) à technologie GaN surmonte les limitations de fréquence des transistors LDMOS traditionnels, maintenant un rendement d'amplification de puissance (PAE) supérieur à 38 % sur la bande 8-12 GHz, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie des systèmes radar. Son boîtier métallique compact (110 × 65 × 24 mm) avec interfaces SMA-F permet une intégration rapide dans les plateformes conformes aux spécifications militaires, notamment les modules de transmission radar AESA et les nacelles de guerre électronique (ECM). Il trouve des applications critiques dans les radars de détection et d'alerte avancée aéroportés, les systèmes radar de conduite de tir navals et les radars de surveillance terrestres, offrant ainsi des frontaux RF de nouvelle génération basés sur la technologie GaN pour la défense et l'aérospatiale.
Points saillants de la performance :
Réponse en fréquence : linéarité de ±0,5 dB sur la bande 8-12 GHz
Gestion thermique : substrat AlSiC + refroidissement par microcanaux
--Alimentation : +28 V CC source unique (compatible avec l’alimentation militaire)
Robustesse : indice de protection IP67, résistant aux embruns salins et aux champignons
| Fréquence de fonctionnement | 8-12 GHz |
| Puissance de sortie | 47 dBm max. (l'utilisateur doit veiller à ne pas dépasser 47 dBm CW) |
| Puissance d'entrée | 0 typ. +5 max.dBm |
| ROS d'entrée et de sortie | -12 typ. -10 max. Pour une puissance de sortie de 50 W Niveau maximal |
| Gagner | 55 dB typ. |
| ROS d'entrée/sortie | Rapport d'entrée 1,5:1 typ. 2:1 max. |
| Rapport de sortie 1,5:1 typ. 2:1 max. | |
| Incompatibilité de charge | 3:1 max. |
| Durée d'activation/désactivation RF (mise en veille) | 0,2 typ. 1 max. (temps de montée/descente RF de 10 à 90 %) |
| Faux | -65 dBc max. |
| Classe opérationnelle | Dispositifs AB sur GaN |
| Tension d'alimentation | +25 min. +28 typ. +32 max. Vcc |
| Consommation de courant | 0,2 typ. 2.2 typ. 12 typ. 15 maximum. UN |
| Température de fonctionnement | -32~+85℃ (Démarrage normal même à basse température) |
| Température de stockage | -46~90℃ |
| Humidité relative (sans condensation) | 95 % |
| Masse | 450 g |
| Dimension | 110 x 65 x 24 mm (sans connecteurs) |
| connecteur RF | SMA femelle : entrée RF SMA femelle : sortie RF |