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Module amplificateur de puissance 100 W 8-12 GHz conforme aux spécifications militaires, avec technologie GaN, pour système radar
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Module amplificateur de puissance 100 W 8-12 GHz conforme aux spécifications militaires, avec technologie GaN, pour système radar

Module amplificateur de puissance 8-12 GHz 100 W intégrant la technologie GaN pour les systèmes radar militaires. Délivre une puissance de sortie continue de 47 dBm, un gain de 55 dB et fonctionne de -32 °C à 85 °C avec une tolérance aux déséquilibres de charge de 3:1. Idéal pour les systèmes de guerre électronique et les radars de conduite de tir exigeant une fiabilité à toute épreuve.

    Le module amplificateur de puissance ZDTECH® 8-12 GHz 100 W est un composant essentiel conforme aux spécifications militaires, conçu pour les systèmes radar. Tirant parti de la technologie GaN de pointe, il offre une gestion de puissance exceptionnelle dans les bandes X/Ku. Fonctionnant sur la bande 8-12 GHz avec une puissance de sortie saturée de 100 W (47 dBm) et un gain de 55 dB, il améliore la portée de détection radar et la résolution du signal. La technologie GaN garantit une stabilité thermique supérieure, permettant un démarrage à froid à -32 °C et un fonctionnement continu jusqu'à +85 °C, conformément à la norme environnementale MIL-STD-810H.

    Doté d'une architecture HEMT GaN de classe AB, ce module atteint des niveaux de signaux parasites ultra-faibles de -65 dBc et un temps de montée/descente d'impulsion de 12:1 (0,2 µs), idéal pour le saut de fréquence rapide dans les systèmes radar Doppler à impulsions. Avec une tolérance aux déséquilibres de charge de 3:1 et un ROS entrée/sortie de 1,5:1, il garantit une stabilité optimale même dans des environnements électromagnétiques complexes. La protection intégrée contre les surchauffes et les surintensités, ainsi qu'un test de durée de vie accéléré (ALT) de 2 000 heures, attestent d'un MTBF supérieur à 100 000 heures, conforme aux exigences de fiabilité du cycle de vie des normes militaires.

    Ce convertisseur de puissance (PA) à technologie GaN surmonte les limitations de fréquence des transistors LDMOS traditionnels, maintenant un rendement d'amplification de puissance (PAE) supérieur à 38 % sur la bande 8-12 GHz, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie des systèmes radar. Son boîtier métallique compact (110 × 65 × 24 mm) avec interfaces SMA-F permet une intégration rapide dans les plateformes conformes aux spécifications militaires, notamment les modules de transmission radar AESA et les nacelles de guerre électronique (ECM). Il trouve des applications critiques dans les radars de détection et d'alerte avancée aéroportés, les systèmes radar de conduite de tir navals et les radars de surveillance terrestres, offrant ainsi des frontaux RF de nouvelle génération basés sur la technologie GaN pour la défense et l'aérospatiale.

    Points saillants de la performance :

    Réponse en fréquence : linéarité de ±0,5 dB sur la bande 8-12 GHz

    Gestion thermique : substrat AlSiC + refroidissement par microcanaux

    --Alimentation : +28 V CC source unique (compatible avec l’alimentation militaire)

    Robustesse : indice de protection IP67, résistant aux embruns salins et aux champignons

    Fréquence de fonctionnement

    8-12 GHz

    Puissance de sortie

    47 dBm max. (l'utilisateur doit veiller à ne pas dépasser 47 dBm CW)

    Puissance d'entrée

    0 typ. +5 max.dBm

    ROS d'entrée et de sortie

    -12 typ. -10 max. Pour une puissance de sortie de 50 W Niveau maximal

    Gagner

    55 dB typ.

    ROS d'entrée/sortie

    Rapport d'entrée 1,5:1 typ. 2:1 max.

    Rapport de sortie 1,5:1 typ. 2:1 max.

    Incompatibilité de charge

    3:1 max.

    Durée d'activation/désactivation RF (mise en veille)

    0,2 typ. 1 max. (temps de montée/descente RF de 10 à 90 %)

    Faux

    -65 dBc max.

    Classe opérationnelle

    Dispositifs AB sur GaN

    Tension d'alimentation

    +25 min. +28 typ. +32 max. Vcc

    Consommation de courant

    0,2 typ. 2.2 typ. 12 typ. 15 maximum. UN

    Température de fonctionnement

    -32~+85℃ (Démarrage normal même à basse température)

    Température de stockage

    -46~90℃

    Humidité relative (sans condensation)

    95 %

    Masse

    450 g

    Dimension

    110 x 65 x 24 mm (sans connecteurs)

    connecteur RF

    SMA femelle : entrée RF

    SMA femelle : sortie RF

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