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Mil-Spec 100W 8-12GHz Leistungsverstärkermodul mit GaN-Technologie für Radarsysteme
HF-Modul

Mil-Spec 100W 8-12GHz Leistungsverstärkermodul mit GaN-Technologie für Radarsysteme

Das 8-12-GHz-100-W-Leistungsverstärkermodul mit GaN-Technologie eignet sich für Radarsysteme nach Militärstandard. Es liefert eine CW-Ausgangsleistung von 47 dBm, eine Verstärkung von 55 dB und arbeitet bei -32 °C bis 85 °C mit einer Fehlanpassungstoleranz von 3:1. Ideal für Radarsysteme der elektronischen Kampfführung und Feuerleitsysteme, die höchste Zuverlässigkeit erfordern.

    Das ZDTECH® 8-12-GHz-100-W-Leistungsverstärkermodul ist eine nach Militärstandard entwickelte Kernkomponente für Radarsysteme. Dank modernster GaN-Technologie bietet es eine außergewöhnliche Belastbarkeit im X- und Ku-Band. Mit einer Sättigungsausgangsleistung von 100 W (47 dBm) und einer Verstärkung von 55 dB arbeitet es im Frequenzbereich von 8-12 GHz und verbessert die Radarerfassungsreichweite und Signalauflösung. Die GaN-Technologie gewährleistet eine hervorragende thermische Stabilität und ermöglicht einen Kaltstart bei -32 °C sowie einen Dauerbetrieb bis +85 °C. Das Modul erfüllt die Umweltnorm MIL-STD-810H.

    Das Modul mit AB-Klasse-GaN-HEMT-Architektur erreicht extrem niedrige Störpegel von -65 dBc und eine Impulsanstiegs-/Abfallzeit von 12:1 (0,2 µs) – ideal für agiles Frequenzspringen in Puls-Doppler-Radarsystemen. Dank einer Lastfehlanpassungstoleranz von 3:1 und einem Eingangs-/Ausgangs-VSWR von 1,5:1 gewährleistet es Stabilität auch in komplexen elektromagnetischen Umgebungen. Integrierter Übertemperatur- und Überstromschutz sowie ein beschleunigter Lebensdauertest (ALT) über 2000 Stunden bestätigen eine mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von über 100.000 Stunden und erfüllen damit die Anforderungen an die Lebensdauerzuverlässigkeit gemäß Militärstandard.

    Diese GaN-Technologie-Leistungsverstärker (PA) überwindet die Frequenzbeschränkungen herkömmlicher LDMOS-Transistoren und erzielt einen Wirkungsgrad (PAE) von über 38 % im Frequenzbereich von 8–12 GHz – wodurch der Stromverbrauch von Radarsystemen deutlich reduziert wird. Das kompakte Metallgehäuse (110 × 65 × 24 mm) mit SMA-F-Schnittstellen ermöglicht die schnelle Integration in Plattformen nach Militärstandard, darunter AESA-Radar-TR-Module und ECM-Pods. Zu den wichtigsten Anwendungsbereichen zählen luftgestützte Frühwarnradarsysteme, Feuerleitradarsysteme für die Marine und bodengestützte Überwachungsradarsysteme. Die GaN-Technologie liefert damit HF-Frontends der nächsten Generation für die Verteidigungs- und Luftfahrtindustrie.

    Leistungshighlights:

    --Frequenzgang: ±0,5 dB Linearität über 8-12 GHz

    --Wärmemanagement: AlSiC-Substrat + Mikrokanalkühlung

    --Stromversorgung: +28VDC Einzelquelle (militärtauglich)

    --Robustheit: Schutzart IP67, beständig gegen Salzsprühnebel und Pilzbefall

    Arbeitsfrequenz

    8-12 GHz

    Ausgangsleistung

    47 max. (Der Benutzer muss darauf achten, 47 dBm CW nicht zu überschreiten) dBm

    Eingangsleistung

    0 typ. +5 max.dBm

    Eingangs- und Ausgangs-VSWR

    -12 typ. -10 max. Für 50 W Ausgangsleistung Maximalpegel

    Gewinnen

    55 typ. dB

    Eingangs-/Ausgangs-VSWR

    Eingangsverhältnis 1,5:1 typ. 2:1 max.

    Ausgangsverhältnis 1,5:1 typ. 2:1 max.

    Lastabweichung

    3:1 maximal.

    Zeit für HF-Ein/Aus (Austastlücke)

    0,2 typ. 1 max. (10-90 % HF-Anstiegs-/Abfallzeit)

    Falsch

    -65 max.dBc

    Betriebsklasse

    AB auf GaN-Bauelementen

    Versorgungsspannung

    +25 min. +28 typ. +32 max. Vdc

    Aktueller Verbrauch

    0.2 typ. 2.2 typ. 12 typ. 15 max. A

    Betriebstemperatur

    -32~+85℃ (Niedrige Temperaturen ermöglichen einen normalen Start)

    Lagertemperatur

    -46~90℃

    Relative Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend)

    95 %

    Masse

    450 g

    Dimension

    110 x 65 x 24 mm (ohne Anschlüsse)

    HF-Anschluss

    SMA-Buchse: HF-Eingang

    SMA-Buchse: HF-Ausgang

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