Módulo amplificador de potência de 100 W e 8-12 GHz com tecnologia GaN, padrão militar, para sistemas de radar.
O módulo amplificador de potência ZDTECH® de 8-12 GHz e 100 W é um componente essencial de especificação militar projetado para sistemas de radar, utilizando tecnologia GaN de ponta para fornecer excepcional capacidade de potência nas bandas X/Ku. Operando na faixa de 8 a 12 GHz com saída saturada de 100 W (47 dBm) e ganho de 55 dB, ele aprimora o alcance de detecção do radar e a resolução do sinal. A tecnologia GaN garante estabilidade térmica superior, permitindo operação em partida a frio a -32 °C e desempenho contínuo até +85 °C, em conformidade com os padrões ambientais de especificação militar MIL-STD-810H.
Com uma arquitetura GaN HEMT de classe AB, o módulo atinge níveis de ruído ultrabaixos de -65dBc e tempo de subida/descida de pulso de 12:1 (0,2μs), ideal para saltos de frequência ágeis em sistemas de radar Doppler de pulso. Com tolerância a desajuste de carga de 3:1 e ROE de entrada/saída de 1,5:1, ele mantém a estabilidade em ambientes eletromagnéticos complexos. A proteção integrada contra sobretemperatura/sobrecorrente e o teste de vida acelerado (ALT) de 2000 horas validam um MTBF superior a 100.000 horas, atendendo aos requisitos de confiabilidade do ciclo de vida de acordo com as especificações militares.
Este amplificador de potência (PA) com tecnologia GaN supera as limitações de frequência do LDMOS tradicional, mantendo uma eficiência de potência adicionada (PAE) superior a 38% na faixa de 8 a 12 GHz – reduzindo significativamente o consumo de energia em sistemas de radar. A caixa metálica compacta (110 × 65 × 24 mm) com interfaces SMA-F permite rápida integração em plataformas de especificação militar, incluindo módulos TR de radar AESA e pods de ECM. As aplicações críticas abrangem radares de alerta aéreo antecipado, sistemas de radar de controle de tiro naval e radares de vigilância terrestre, fornecendo front-ends de RF de última geração com tecnologia GaN para os setores de defesa e aeroespacial.
Destaques da performance:
Resposta de frequência: planicidade de ±0,5 dB na faixa de 8 a 12 GHz
--Gerenciamento térmico: substrato de AlSiC + resfriamento por microcanais
--Fonte de alimentação: +28VDC (fonte única compatível com alimentação militar)
--Resistência: Classificação IP67, resistente à névoa salina e a fungos.
| Frequência de trabalho | 8-12 GHz |
| Potência de saída | 47 dBm máx. (o usuário deve ter cuidado para não exceder 47 dBm no sentido horário) dBm |
| Potência de entrada | 0 típico +5 máx. dBm |
| VSWR de entrada e saída | -12 típ. -10 máx. Para potência de saída de 50 W. Nível máximo. |
| Ganho | 55 dB típicos |
| Entrada/Saída VSWR | Entrada 1,5:1 típica. 2:1 máxima. |
| Proporção de saída 1,5:1 típica. Proporção máxima 2:1. | |
| Incompatibilidade de carga | 3:1 máx. |
| Tempo para ligar/desligar o RF (bloqueio) | 0,2 típico. 1 máximo (tempo de subida/descida de RF de 10 a 90%) |
| Espúrio | -65 dB máx. |
| Classe operacional | AB em dispositivos GaN |
| Tensão de alimentação | +25 mín. +28 típ. +32 máx. Vdc |
| Consumo atual | 0,2 tipo. 2.2 tipo. 12 tipos. 15 máx. UM |
| Temperatura de operação | -32~+85℃ (Temperaturas baixas podem iniciar normalmente) |
| Temperatura de armazenamento | -46~90℃ |
| Umidade Relativa (Sem condensação) | 95% |
| Massa | 450g |
| Dimensão | 110 x 65 x 24 mm (sem conectores) |
| Conector RF | SMA fêmea: Entrada RF SMA fêmea: Saída de RF |