Модуль усилителя мощности Mil-Spec 100 Вт 8-12 ГГц с технологией GaN для радиолокационной системы

Модуль усилителя мощности ZDTECH® 8-12 ГГц 100 Вт — это основной компонент военного стандарта, разработанный для радиолокационных систем, использующий передовую технологию GaN для обеспечения исключительной мощности в диапазонах X/Ku. Работая в диапазоне 8-12 ГГц с насыщенной выходной мощностью 100 Вт (47 дБм) и коэффициентом усиления 55 дБ, он повышает дальность обнаружения радара и разрешение сигнала. Технология GaN обеспечивает превосходную термическую стабильность, позволяя работать при температуре -32℃ и непрерывно до +85℃, что соответствует военным стандартам MIL-STD-810H.

Модуль, использующий архитектуру GaN HEMT класса AB, обеспечивает сверхнизкий уровень паразитных помех -65 дБн и время нарастания/спада импульса 12:1 (0,2 мкс), что идеально подходит для гибкого переключения частот в импульсно-доплеровских радиолокационных системах. Благодаря допуску на несоответствие нагрузки 3:1 и КСВ на входе/выходе 1,5:1, он сохраняет стабильность в сложных электромагнитных условиях. Встроенная защита от перегрева/перегрузки по току и ускоренные испытания на долговечность (ALT) в течение 2000 часов подтверждают среднее время безотказной работы (MTBF) более 100 000 часов, что соответствует требованиям военной спецификации к надежности.

Этот усилитель мощности на основе технологии GaN преодолевает частотные ограничения традиционных LDMOS-транзисторов, поддерживая КПД по мощности (PAE) более 38% в диапазоне 8-12 ГГц, что значительно снижает энергопотребление радиолокационных систем. Компактный металлический корпус (110×65×24 мм) с интерфейсами SMA-F обеспечивает быструю интеграцию в платформы военного стандарта, включая модули радиолокационных передатчиков AESA и контейнеры РЭБ. Критически важные области применения включают бортовые радары раннего предупреждения, военно-морские радиолокационные системы управления огнем и наземные радары наблюдения, предоставляя радиочастотные интерфейсы следующего поколения на основе технологии GaN для оборонной и аэрокосмической отраслей.

Основные достижения:

— Частотная характеристика: равномерность ±0,5 дБ в диапазоне 8–12 ГГц.

— Управление температурным режимом: подложка из AlSiC + микроканальное охлаждение

--Источник питания: +28 В постоянного тока от одного источника (совместим с военной системой питания)

— Степень защиты: класс защиты IP67, устойчивость к солевому туману и грибкам.