Módulo amplificador de alta potencia GaN CW de 300 W y 0,02-6 GHz

Este módulo es un amplificador de alta potencia multibanda (0,02-0,5 GHz/0,5-3 GHz/3-6 GHz). Gracias a la tecnología GaN HEMT, ofrece una potencia de salida de onda continua (CW) de 55 dBm, con alta eficiencia y amplia cobertura de frecuencia. Con una relación de onda estacionaria (VSWR) de entrada de 1,5:1 y un nivel de espurias de 55 dBc, admite una fuente de alimentación de +28 V CC (+36 V para la banda de 0,02-0,5 GHz) y está equipado con un conector de entrada SMA-KFD50 y un conector de salida N-KFD50. Funciona en un rango de temperatura de -20 a +55 °C, por lo que requiere la instalación sobre una placa fría para la disipación del calor de contacto, lo que lo hace ideal para diversas aplicaciones de equipos electrónicos que requieren amplificación de alta potencia y banda ancha.

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Detalles del producto

Este módulo es un amplificador de alta potencia de onda continua (CW) de banda ancha basado en tecnología GaN HEMT, que opera en las bandas de 0,02-0,5 GHz, 0,5-3 GHz y 3-6 GHz, con un ancho de banda total de 5,98 GHz, ideal para la amplificación de señales en diversos escenarios. Ofrece una potencia de salida CW de 55 dBm (equivalente a 300 W), con una potencia de entrada de 0 ± 2 dBm, una eficiencia superior al 25 %, un nivel de espurias de 55 dBc y una relación de onda estacionaria (VSWR) de entrada de 1,5:1, lo que garantiza un rendimiento estable y fiable.

La lógica de control adopta el estándar TTL, con los pines Enable y Bit activados a nivel alto. Para la alimentación, las bandas de 0,5-3 GHz y 3-6 GHz admiten +28 V CC, mientras que la banda de 0,02-0,5 GHz requiere +36 V CC, con los pines A4-A6 configurados como GND. Equipado con conectores de entrada SMA-KFD50 y de salida N-KFD50, los pines 1-6 son NC con una disposición concisa.

El módulo, que opera en un rango de temperatura de -20 a +55 °C, requiere disipación de calor por contacto mediante una placa fría. Gracias a su alta potencia, amplio ancho de banda y alta eficiencia, se utiliza ampliamente en sistemas de comunicación, equipos de prueba electrónicos, dispositivos auxiliares de radar y otros sistemas electrónicos con estrictos requisitos de amplificación de señal.

Especificaciones eléctricas

Amplificador de alta potencia GaN CW de onda continua
Crudo	Parámetro	Valor	unidad	Comentarios
1	Rango de frecuencia	0,02-0,5 G, 0,5-3 G, 3-6 G	GHz
2	Potencia de salida	55	dBm
3	Modo de funcionamiento	CW		TTL
4	Nivel espurio	55	dBc
5	Potencia de entrada	0±2	dBm
6	Eficiencia	>25	%
7	VSWR de entrada	1,5:1	-
8	Conector de entrada	SMA-KFD50	-
9	Conector de salida	N-KFD50	-
10	Rango de temperatura	-20~+55	grado
11	Suministrar	+28	En