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300W 0.02-6GHz GaN CW 고출력 증폭기 모듈
RF 모듈

300W 0.02-6GHz GaN CW 고출력 증폭기 모듈

본 모듈은 멀티밴드(0.02-0.5GHz/0.5-3GHz/3-6GHz) 고출력 증폭기 모듈입니다. GaN HEMT 기술을 적용하여 55dBm의 연속파(CW) 출력 전력을 제공하며, 높은 효율과 넓은 주파수 범위를 자랑합니다. 입력 VSWR은 1.5:1, 스퓨리어스 레벨은 55dBc이며, +28V DC 전원(0.02-0.5GHz 대역에서는 +36V)을 지원합니다. SMA-KFD50 입력 커넥터와 N-KFD50 출력 커넥터를 갖추고 있습니다. -20~+55℃의 작동 온도 범위에서 사용 가능하며, 접촉식 방열을 위해 냉각판에 설치해야 합니다. 따라서 고출력 및 광대역 증폭이 필요한 다양한 전자 장비에 적합합니다.

    이 모듈은 GaN HEMT 기술을 기반으로 하는 광대역 CW 고출력 증폭기 모듈로, 0.02-0.5GHz, 0.5-3GHz, 3-6GHz 대역에서 동작하며 총 5.98GHz의 대역폭을 제공하여 다양한 시나리오의 신호 증폭에 적합합니다. 0±2dBm의 입력 전력에서 55dBm(300W 상당)의 CW 출력 전력을 제공하며, 25% 이상의 효율, 55dBc의 스퓨리어스 레벨, 1.5:1의 입력 VSWR을 통해 안정적이고 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다.
    제어 로직은 TTL 표준을 채택하며, Enable 및 Bit 핀은 하이 레벨로 활성화됩니다. 전원 공급의 경우, 0.5-3GHz 및 3-6GHz 대역은 +28V DC를 지원하고, 0.02-0.5GHz 대역은 +36V DC를 필요로 하며, A4-A6 핀은 GND로 설계되었습니다. SMA-KFD50 입력 및 N-KFD50 출력 커넥터가 장착되어 있으며, 1-6번 핀은 NC로 간결하게 설계되었습니다.
    -20~+55℃의 작동 온도 범위에서 작동하는 이 모듈은 냉각판을 통한 접촉식 열 방출이 필요합니다. 고출력, 광대역 및 고효율을 통합한 이 모듈은 통신 시스템, 전자 테스트 장비, 레이더 보조 장치 및 신호 증폭이 엄격하게 요구되는 기타 전자 시스템에 널리 적용됩니다.
    전기 사양

    GaN CW 고출력 증폭기

    날것의

    매개변수

    단위

    댓글

    1

    주파수 범위

    0.02-0.5G, 0.5-3G, 3-6G

    GHz

    2

    출력 전력

    55

    dBm

    3

    작동 모드

    CW

    티틀

    4

    가짜 레벨

    55

    dBc

    5

    입력 전력

    0±2

    dBm

    6

    능률

    >25

    %

    7

    입력 VSWR

    1.5:1

    -

    8

    입력 커넥터

    SMA-KFD50

    -

    9

    출력 커넥터

    N-KFD50

    -

    10

    온도 범위

    -20~+55

    11

    공급

    +28

    ~ 안에

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