Module amplificateur de puissance haute puissance GaN CW 300 W 0,02-6 GHz

Ce module est un amplificateur de puissance multibande (0,02-0,5 GHz/0,5-3 GHz/3-6 GHz). Basé sur la technologie GaN HEMT, il délivre une puissance de sortie continue (CW) de 55 dBm, offrant un rendement élevé et une large bande passante. Avec un ROS d'entrée de 1,5:1 et un niveau de signaux parasites de 55 dBc, il est alimenté en +28 V CC (+36 V pour la bande 0,02-0,5 GHz) et équipé d'un connecteur d'entrée SMA-KFD50 et d'un connecteur de sortie N-KFD50. Fonctionnant dans une plage de températures de -20 °C à +55 °C, il nécessite une installation sur une plaque froide pour la dissipation thermique des contacts, ce qui le rend idéal pour diverses applications électroniques exigeant une amplification large bande et une puissance élevée.

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Détails du produit

Ce module est un amplificateur de puissance CW à large bande basé sur la technologie GaN HEMT. Fonctionnant dans les bandes 0,02-0,5 GHz, 0,5-3 GHz et 3-6 GHz, avec une bande passante totale de 5,98 GHz, il convient à l'amplification de signaux dans de nombreuses applications. Il délivre une puissance de sortie CW de 55 dBm (équivalent à 300 W) pour une puissance d'entrée de 0 ± 2 dBm, avec un rendement supérieur à 25 %, un niveau de signaux parasites de 55 dBc et un ROS d'entrée de 1,5:1, garantissant ainsi des performances stables et fiables.

La logique de commande utilise la norme TTL, avec les broches Enable et Bit activées à l'état haut. L'alimentation est de +28 V CC pour les bandes 0,5-3 GHz et 3-6 GHz, et de +36 V CC pour la bande 0,02-0,5 GHz. Les broches A4 à A6 sont connectées à la masse (GND). Doté de connecteurs d'entrée SMA-KFD50 et de sortie N-KFD50, ce dispositif présente des broches 1 à 6 normalement fermées (NC) et une disposition compacte.

Fonctionnant dans une plage de températures de -20 à +55 °C, ce module nécessite une dissipation thermique par contact via une plaque froide. Alliant puissance élevée, large bande passante et rendement élevé, il est largement utilisé dans les systèmes de communication, les équipements de test électroniques, les dispositifs auxiliaires radar et autres systèmes électroniques exigeant une amplification du signal rigoureuse.

Spécifications électriques

Amplificateur de puissance GaN CW haute puissance
Brut	Paramètre	Valeur	unité	Commentaires
1	Gamme de fréquences	0,02-0,5G, 0,5-3G, 3-6G	GHz
2	Puissance de sortie	55	dBm
3	Mode de fonctionnement	CW		TTL
4	Niveau erroné	55	dBc
5	Puissance d'entrée	0±2	dBm
6	Efficacité	>25	%
7	ROS d'entrée	1,5:1	-
8	Connecteur d'entrée	SMA-KFD50	-
9	Connecteur de sortie	N-KFD50	-
10	Plage de température	-20~+55	degré
11	Fournir	+28	Dans