Module amplificateur de puissance haute efficacité GaN 300 W 6-18 GHz CW

Cet amplificateur de puissance haute puissance GaN CW de 300 W (6-18 GHz) est conçu avec des transistors HEMT GaN au nitrure de gallium de pointe. Il offre une puissance de sortie élevée et une efficacité énergétique optimale, fournissant ainsi une solution d'amplification de signal stable et fiable pour les applications RF professionnelles. Fonctionnant en onde continue (CW), il couvre une large bande de fréquences de 6 à 18 GHz, avec une puissance d'entrée de 0 ±1 dBm et une puissance de sortie jusqu'à 55 dBm. Son TOS d'entrée de seulement 1,5:1 réduit efficacement la réflexion du signal et garantit une transmission stable. Son interface allie praticité et performance : il est équipé d'une entrée SMA-50K, d'une sortie WRD500D36 et est alimenté par une source de courant continu de +28 V via un connecteur D-SUB 8W8 (broches d'alimentation +28 V A1 à A4, broches de masse A5 à A8). La fonction de contrôle est réalisée via l'interface DB9, prenant en charge le démarrage d'activation de niveau haut TTL et le fonctionnement normal de niveau haut Bit.

Doté d'une grande adaptabilité environnementale, ce produit fonctionne dans une large plage de températures, de -25 °C à +55 °C, et peut s'adapter à diverses applications complexes. Pour garantir un fonctionnement stable et durable, il doit être installé sur une plaque froide pour la dissipation de la chaleur par contact, répondant ainsi parfaitement aux exigences de dissipation thermique en conditions de fonctionnement à haute puissance. Grâce à ses excellentes performances et à sa conception rigoureuse, cet amplificateur est largement utilisé dans les systèmes de communication, les tests et mesures RF, le contrôle industriel et d'autres applications RF professionnelles, où il joue un rôle essentiel dans l'amélioration de la qualité de transmission du signal.