高効率GaN 300W 6-18GHz CW高出力アンプモジュール

この 300W 6-18GHz GaN CW 高出力アンプは、高度な GaN HEMT 窒化ガリウムデバイスを使用して構築されており、高出力と高エネルギー効率に重点を置き、プロフェッショナルな RF 分野に安定した信頼性の高い信号増幅ソリューションを提供します。連続波 (CW) 動作モードをサポートし、6-18GHz の広い周波数範囲をカバーし、入力電力範囲は 0±1dBm、出力電力は最大 55dBm です。入力 VSWR は 1.5:1 と低く、信号反射を効果的に低減し、伝送の安定性を確保できます。インターフェース構成は実用性とプロフェッショナリズムのバランスが取れており、SMA-50K 入力インターフェース、WRD500D36 出力インターフェースを採用し、D-SUB 8W8 インターフェース (A1-A4 は +28V 電源ピン、A5-A8 は GND ピン) を介して +28V DC 電源で駆動します。制御機能はDB9インターフェースを介して実現され、TTLハイレベルイネーブルによる起動とビットハイレベルによる通常動作をサポートします。

優れた環境適応性を備えた本製品は、-25℃～+55℃の広い温度範囲で動作し、様々な複雑なアプリケーションシナリオに対応可能です。長期にわたる安定した動作を確保するため、接触放熱用の冷却板上に設置する必要があり、高出力動作条件下での放熱要件に完全に適合します。優れた性能パラメータと厳格な設計プロセスにより、本アンプは通信システム、RFテストおよび測定、産業制御、その他のプロフェッショナルなRFアプリケーションシナリオで広く使用され、信号伝送品質を向上させるコアデバイスとして機能します。