300W 0.02-6GHz GaN CW高出力アンプモジュール

このモジュールは、マルチバンド（0.02～0.5GHz/0.5～3GHz/3～6GHz）対応の高出力アンプモジュールです。GaN HEMT技術を採用し、55dBmの出力連続波（CW）電力を供給します。高効率かつ広帯域な周波数特性が特長です。入力VSWRは1.5:1、スプリアスレベルは55dBcで、+28V DC電源（0.02～0.5GHz帯では+36V）に対応し、SMA-KFD50入力コネクタとN-KFD50出力コネクタを備えています。動作温度範囲は-20～+55℃で、接触放熱のために冷却板上に設置する必要があります。そのため、高出力かつ広帯域の増幅を必要とする様々な電子機器用途に最適です。

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製品詳細

このモジュールは、GaN HEMT技術に基づいた広帯域CW高出力アンプモジュールで、0.02～0.5GHz、0.5～3GHz、3～6GHzの周波数帯で動作し、合計帯域幅は5.98GHzです。様々なシナリオでの信号増幅に適しています。出力CW電力は55dBm（300W相当）、入力電力は0±2dBm、効率は25%以上、スプリアスレベルは55dBc、入力VSWRは1.5:1で、安定した信頼性の高い性能を実現します。

制御ロジックはTTL規格を採用し、EnableピンとBitピンはハイレベルでアクティブ化されます。電源は、0.5～3GHz帯と3～6GHz帯は+28V DCをサポートし、0.02～0.5GHz帯は+36V DCを必要とし、ピンA4～A6はGNDとして設計されています。入力コネクタはSMA-KFD50、出力コネクタはN-KFD50で、ピン1～6はNCで、レイアウトは簡潔です。

-20℃～+55℃の温度範囲で動作するこのモジュールは、冷却板による接触放熱が必要です。高出力、広帯域、高効率を兼ね備えており、通信システム、電子計測機器、レーダー補助装置、その他信号増幅に厳しい要件を持つ電子システムに幅広く応用されています。

電気仕様

GaN CW高出力増幅器
生	パラメータ	価値	ユニット	コメント
1	周波数範囲	0.02～0.5G、0.5～3G、3～6G	GHz
2	出力電力	55	dBm
3	動作モード	CW		TTL
4	偽レベル	55	dBc
5	入力電力	0±2	dBm
6	効率	25歳以上	％
7	入力VSWR	1.5:1	-
8	入力コネクタ	SMA-KFD50	-
9	出力コネクタ	N-KFD50	-
10	温度範囲	-20～+55	程度
11	供給	+28	で