300-W-GaN-CW-Hochleistungsverstärkermodul (0,02–6 GHz)

Dieses Modul ist ein Multiband-Hochleistungsverstärkermodul (0,02–0,5 GHz/0,5–3 GHz/3–6 GHz). Dank GaN-HEMT-Technologie liefert es eine Ausgangsleistung von 55 dBm im Dauerstrichbetrieb (CW) und zeichnet sich durch hohe Effizienz und einen breiten Frequenzbereich aus. Mit einem Eingangs-VSWR von 1,5:1 und einem Störpegel von 55 dBc unterstützt es eine Gleichstromversorgung von +28 V (36 V im 0,02–0,5-GHz-Band) und ist mit einem SMA-KFD50-Eingangsanschluss sowie einem N-KFD50-Ausgangsanschluss ausgestattet. Das Modul arbeitet in einem Temperaturbereich von -20 °C bis +55 °C und benötigt zur Wärmeableitung eine Kühlplatte. Dadurch eignet es sich ideal für diverse Anwendungen in elektronischen Geräten, die eine hohe Leistung und Breitbandverstärkung erfordern.

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Produktdetails

Dieses Breitband-CW-Hochleistungsverstärkermodul basiert auf GaN-HEMT-Technologie und arbeitet in den Frequenzbändern 0,02–0,5 GHz, 0,5–3 GHz und 3–6 GHz mit einer Gesamtbandbreite von 5,98 GHz. Es eignet sich für die Signalverstärkung in verschiedenen Anwendungsszenarien. Das Modul liefert eine CW-Ausgangsleistung von 55 dBm (entspricht 300 W) bei einer Eingangsleistung von 0 ± 2 dBm, einem Wirkungsgrad von über 25 %, einem Störpegel von 55 dBc und einem Eingangs-VSWR von 1,5:1. Dadurch wird ein stabiler und zuverlässiger Betrieb gewährleistet.

Die Steuerlogik arbeitet nach dem TTL-Standard, wobei die Enable- und Bit-Pins auf High-Pegel gesetzt sind. Die Frequenzbänder 0,5–3 GHz und 3–6 GHz benötigen eine Versorgungsspannung von +28 V DC, während das Band 0,02–0,5 GHz +36 V DC erfordert. Die Pins A4–A6 sind als Masse (GND) ausgelegt. Das Gerät verfügt über SMA-KFD50-Eingangs- und N-KFD50-Ausgangsanschlüsse. Die Pins 1–6 sind nicht belegt (NC) und zeichnen sich durch ein übersichtliches Layout aus.

Das Modul arbeitet im Temperaturbereich von -20 °C bis +55 °C und benötigt eine Kontaktwärmeableitung mittels Kühlplatte. Dank seiner hohen Leistung, seines breiten Frequenzbandes und seines hohen Wirkungsgrades findet es breite Anwendung in Kommunikationssystemen, elektronischen Testgeräten, Radarhilfsgeräten und anderen elektronischen Systemen mit hohen Anforderungen an die Signalverstärkung.

Elektrische Spezifikationen

GaN CW Hochleistungsverstärker
Roh	Parameter	Wert	Einheit	Kommentare
1	Frequenzbereich	0,02–0,5 G, 0,5–3 G, 3–6 G	GHz
2	Ausgangsleistung	55	dBm
3	Arbeitsmodus	CW		TTL
4	Falsches Niveau	55	dBc
5	Eingangsleistung	0±2	dBm
6	Effizienz	>25	%
7	Eingangs-VSWR	1,5:1	-
8	Eingangsanschluss	SMA-KFD50	-
9	Ausgangsanschluss	N-KFD50	-
10	Temperaturbereich	-20 bis +55	Grad
11	Liefern	+28	In