Модуль мощного усилителя на основе GaN с частотой непрерывного излучения 300 Вт, диапазон частот 0,02-6 ГГц

Этот модуль представляет собой многодиапазонный (0,02-0,5 ГГц/0,5-3 ГГц/3-6 ГГц) мощный усилительный модуль. Благодаря использованию технологии GaN HEMT, он обеспечивает выходную мощность 55 дБм в непрерывном режиме (CW), отличаясь высокой эффективностью и широким частотным диапазоном. С входным КСВ 1,5:1 и уровнем паразитных составляющих 55 дБн, он поддерживает питание от источника постоянного тока +28 В (+36 В для диапазона 0,02-0,5 ГГц) и оснащен входным разъемом SMA-KFD50 и выходным разъемом N-KFD50. Работая в диапазоне температур от -20 до +55℃, изделие необходимо устанавливать на охлаждающую пластину для рассеивания тепла, что делает его идеальным для различных электронных устройств, требующих высокой мощности и широкополосного усиления.

Связаться с нами Скачать

Подробная информация о товаре

Этот модуль представляет собой широкополосный усилитель непрерывного излучения высокой мощности на основе технологии GaN HEMT, работающий в диапазонах 0,02-0,5 ГГц, 0,5-3 ГГц и 3-6 ГГц с общей полосой пропускания 5,98 ГГц, подходящий для усиления сигналов в различных сценариях. Он обеспечивает выходную мощность непрерывного излучения 55 дБм (эквивалентно 300 Вт) при входной мощности 0±2 дБм, КПД более 25%, уровне паразитных составляющих 55 дБн и входном КСВ 1,5:1, что гарантирует стабильную и надежную работу.

В логике управления используется стандарт TTL, при этом выводы Enable и Bit активируются на высоком уровне. Для питания поддерживаются диапазоны +28 В постоянного тока для частот 0,5-3 ГГц и 3-6 ГГц, а для диапазона 0,02-0,5 ГГц требуется +36 В постоянного тока, при этом выводы A4-A6 предназначены для заземления (GND). Устройство оснащено входными разъемами SMA-KFD50 и выходными разъемами N-KFD50, выводы 1-6 имеют нормально замкнутое соединение (NC) и лаконичную компоновку.

Для работы в диапазоне температур от -20 до +55℃ модуль требует контактного теплоотвода через охлаждающую пластину. Благодаря высокой мощности, широкой полосе пропускания и высокой эффективности, он широко применяется в системах связи, электронном испытательном оборудовании, вспомогательных устройствах радаров и других электронных системах со строгими требованиями к усилению сигнала.

Технические характеристики электрооборудования

GaN CW мощный усилитель
Сырой	Параметр	Ценить	единица	Комментарии
1	Диапазон частот	0,02-0,5G, 0,5-3G, 3-6G	ГГц
2	Выходная мощность	55	дБм
3	Режим работы	CW		ТТЛ
4	Ложный уровень	55	дБн
5	Входная мощность	0±2	дБм
6	Эффективность	>25	%
7	Входное КСВ	1.5:1	-
8	входной разъем	СМА-КФД50	-
9	Выходной разъем	Н-КФД50	-
10	Диапазон температур	-20~+55	степень
11	Поставлять	+28	В