Módulo amplificador de alta potência CW GaN de 300 W e 0,02 a 6 GHz

Este módulo é um amplificador de alta potência multibanda (0,02-0,5 GHz/0,5-3 GHz/3-6 GHz). Adotando a tecnologia GaN HEMT, ele fornece uma potência de saída de onda contínua (CW) de 55 dBm, apresentando alta eficiência e ampla cobertura de frequência. Com uma ROE de entrada de 1,5:1 e um nível de espúrios de 55 dBc, ele suporta alimentação de +28 V CC (+36 V para a banda de 0,02-0,5 GHz), equipado com conector de entrada SMA-KFD50 e conector de saída N-KFD50. Operando em uma faixa de temperatura de -20 °C a +55 °C, o produto precisa ser instalado em uma placa fria para dissipação de calor por contato, tornando-o ideal para diversas aplicações em equipamentos eletrônicos que exigem alta potência e amplificação de banda larga.

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Detalhes do produto

Este módulo é um amplificador CW de alta potência de banda larga baseado na tecnologia GaN HEMT, operando nas faixas de 0,02-0,5 GHz, 0,5-3 GHz e 3-6 GHz com uma largura de banda total de 5,98 GHz, adequado para amplificação de sinais em múltiplos cenários. Ele fornece 55 dBm (equivalente a 300 W) de potência de saída CW, com uma potência de entrada de 0 ± 2 dBm, eficiência superior a 25%, nível de espúrios de 55 dBc e ROE de entrada de 1,5:1, garantindo desempenho estável e confiável.

A lógica de controle adota o padrão TTL, com os pinos Enable e Bit ativados em nível alto. Para alimentação, as bandas de 0,5-3 GHz e 3-6 GHz suportam +28 V CC, enquanto a banda de 0,02-0,5 GHz requer +36 V CC, com os pinos A4-A6 configurados como GND. Equipado com conectores de entrada SMA-KFD50 e de saída N-KFD50, os pinos 1-6 são NF (normalmente fechados) com um layout conciso.

Operando em uma faixa de -20 a +55 °C, o módulo requer dissipação de calor por contato através de uma placa fria. Integrando alta potência, ampla faixa de frequência e alta eficiência, ele é amplamente aplicado em sistemas de comunicação, equipamentos eletrônicos de teste, dispositivos auxiliares de radar e outros sistemas eletrônicos com requisitos rigorosos de amplificação de sinal.

Especificações elétricas

Amplificador de alta potência CW GaN
Cru	Parâmetro	Valor	unidade	Comentários
1	Faixa de frequência	0,02-0,5G, 0,5-3G, 3-6G	GHz
2	Potência de saída	55	dBm
3	Modo de funcionamento	CW		TTL
4	Nível espúrio	55	dBc
5	Potência de entrada	0±2	dBm
6	Eficiência	>25	%
7	VSWR de entrada	1,5:1	-
8	Conector de entrada	SMA-KFD50	-
9	Conector de saída	N-KFD50	-
10	Faixa de temperatura	-20~+55	grau
11	Fornecer	+28	Em