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Módulo amplificador de potencia de estado sólido GaN de 2 a 8 GHz y 50 W, encapsulado en rack 3U, para aplicaciones de pruebas 5G, LTE, WIFI y EMC.
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Módulo amplificador de potencia de estado sólido GaN de 2 a 8 GHz y 50 W, encapsulado en rack 3U, para aplicaciones de pruebas 5G, LTE, WIFI y EMC.

Este amplificador de potencia de estado sólido de 50 W y 2-8 GHz, con formato rack 3U, incorpora tecnología GaN de vanguardia, ofreciendo una alta potencia de salida saturada (típicamente 48,5 dBm) y una excelente linealidad. Admite diversos tipos de señal, incluyendo CW, pulsos, banda ancha y modulación de alto orden. Gracias a sus completas funciones de protección contra sobretemperatura, sobrecarga y alta ROE, resulta ideal para aplicaciones de pruebas 5G, LTE, Wi-Fi y EMC. Su alta ganancia, baja distorsión armónica y eficiente gestión térmica lo convierten en una solución fiable para sistemas de comunicación y pruebas.

    Este módulo amplificador de potencia de estado sólido GaN de 2 a 8 GHz y 50 W representa la vanguardia en tecnología de amplificación de potencia de RF. Fabricado con un avanzado proceso de semiconductores de nitruro de galio (GaN), ofrece hasta 50 vatios de potencia de salida saturada en un amplio rango de frecuencias, manteniendo una excepcional linealidad y uniformidad de ganancia. Su alta densidad de potencia y eficiencia lo hacen especialmente adecuado para sistemas de comunicación modernos como 5G, LTE y Wi-Fi, así como para aplicaciones exigentes como pruebas EMC, radar y guerra electrónica.

    El amplificador incorpora múltiples funciones de protección, incluyendo protección contra sobretemperatura, sobrecarga y sobre ROE, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en condiciones adversas. Los indicadores LED del panel frontal proporcionan monitorización en tiempo real del estado de la temperatura, el ventilador y las alarmas del amplificador, lo que facilita su uso y mantenimiento. El control y la monitorización remotos se realizan mediante un conector D-Sub de 9 pines, lo que ofrece flexibilidad para la integración en sistemas.

    Técnicamente, el módulo ofrece una ganancia típica de 48,5 dB en el rango de 2 a 8 GHz, una supresión de armónicos superior a -25 dBc, una supresión de espurias inferior a -65 dBc y una ROE de entrada inferior a 2:1. La unidad se refrigera mediante un sistema de aire forzado y está alojada en un chasis estándar de 3U para montaje en rack de 19 pulgadas, lo que garantiza una gestión térmica robusta y una fácil instalación.

    Ideal para laboratorios de I+D, integración de sistemas y pruebas de campo, este sistema de alta fiabilidad Módulo amplificador de potencia GaN Proporciona una amplificación de señal de RF robusta y estable, lo que la convierte en una opción ideal para sectores como las telecomunicaciones, la defensa y la industria aeroespacial.

    Especificaciones eléctricas

    Frecuencia de trabajo

    2-8 GHz

    Potencia de salida saturada

    dBm

    Típ./Mín.

    48,5/46,5 a Pin=0 dBm

    P1dB

    dBm

    Típ./Mín.

    44/41

    Ganar

    dB

    Típ./Mín.

    48,5/46,5 a Pin=0 dBm

    Ganancia de planitud

    dB

    Tipo.

    ±1,5 a Pin=0 dBm

    Ganancia de señal pequeña

    A

    Tipo.

    60@ Pin=-40dBm

    Planitud de ganancia de señal pequeña

    :1

    Tipo.

    ±2@ Pin=-40dBm

    Aislamiento@ Estado de deshabilitación

    Tipo.

    90

    Potencia de entrada

    dBm

    Tipo.

    0

    Supresión del segundo armónico

    dBc

    Típ./Máx.

    -25/-15 a Pout=45dBm

    Supresión del tercer armónico

    dBc

    Típ./Máx.

    -25/-15 a Pout=45dBm

    Supresión espuria

    dBc

    Típ./Máx.

    -70/-65 a Pout=45dBm

    VSWR de entrada

    :1

    Típ./Máx.

    1,5/2

    Tensión de alimentación

    En

    Tipo.

    110-240 (47-61 Hz/Monofásico)

    Consumo de energía

    EN

    Típ./Máx.

    500@ Pin=0dBm

    Potencia de entrada

    Pin ≤ 10 dBm (Nivel de RF de entrada sin daños)

    Carga VSWR

    VSWR≤3:1 (Pout=47dBm)

    Apagado (VSWR ≥ 5:1 y Pout ≥ 37 dBm)

    Degradación térmica

    75℃

    Conector de entrada RF

    TIPO N [F]

    Conector de salida RF

    TIPO N [F]

    Conector de alimentación

    Entrada de alimentación de CA de 3 cables (IEC320-C14, fusibles incluidos)

    Conector de control

    Conector D-Sub de 9 pines

    Dimensión

    3U, 19 pulgadas

    Peso

    20 kg

    Refinamiento

    Rociar plásticos

    Disipación de calor

    La unidad se enfría mediante aire forzado.

    Ambiental

    N / A

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