Módulo amplificador de potencia de estado sólido GaN de 2 a 8 GHz y 50 W, encapsulado en rack 3U, para aplicaciones de pruebas 5G, LTE, WIFI y EMC.
Este módulo amplificador de potencia de estado sólido GaN de 2 a 8 GHz y 50 W representa la vanguardia en tecnología de amplificación de potencia de RF. Fabricado con un avanzado proceso de semiconductores de nitruro de galio (GaN), ofrece hasta 50 vatios de potencia de salida saturada en un amplio rango de frecuencias, manteniendo una excepcional linealidad y uniformidad de ganancia. Su alta densidad de potencia y eficiencia lo hacen especialmente adecuado para sistemas de comunicación modernos como 5G, LTE y Wi-Fi, así como para aplicaciones exigentes como pruebas EMC, radar y guerra electrónica.
El amplificador incorpora múltiples funciones de protección, incluyendo protección contra sobretemperatura, sobrecarga y sobre ROE, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en condiciones adversas. Los indicadores LED del panel frontal proporcionan monitorización en tiempo real del estado de la temperatura, el ventilador y las alarmas del amplificador, lo que facilita su uso y mantenimiento. El control y la monitorización remotos se realizan mediante un conector D-Sub de 9 pines, lo que ofrece flexibilidad para la integración en sistemas.
Técnicamente, el módulo ofrece una ganancia típica de 48,5 dB en el rango de 2 a 8 GHz, una supresión de armónicos superior a -25 dBc, una supresión de espurias inferior a -65 dBc y una ROE de entrada inferior a 2:1. La unidad se refrigera mediante un sistema de aire forzado y está alojada en un chasis estándar de 3U para montaje en rack de 19 pulgadas, lo que garantiza una gestión térmica robusta y una fácil instalación.
Ideal para laboratorios de I+D, integración de sistemas y pruebas de campo, este sistema de alta fiabilidad Módulo amplificador de potencia GaN Proporciona una amplificación de señal de RF robusta y estable, lo que la convierte en una opción ideal para sectores como las telecomunicaciones, la defensa y la industria aeroespacial.
Especificaciones eléctricas
| Frecuencia de trabajo | 2-8 GHz | ||
| Potencia de salida saturada | dBm | Típ./Mín. | 48,5/46,5 a Pin=0 dBm |
| P1dB | dBm | Típ./Mín. | 44/41 |
| Ganar | dB | Típ./Mín. | 48,5/46,5 a Pin=0 dBm |
| Ganancia de planitud | dB | Tipo. | ±1,5 a Pin=0 dBm |
| Ganancia de señal pequeña | A | Tipo. | 60@ Pin=-40dBm |
| Planitud de ganancia de señal pequeña | :1 | Tipo. | ±2@ Pin=-40dBm |
| Aislamiento@ Estado de deshabilitación | Tipo. | 90 | |
| Potencia de entrada | dBm | Tipo. | 0 |
| Supresión del segundo armónico | dBc | Típ./Máx. | -25/-15 a Pout=45dBm |
| Supresión del tercer armónico | dBc | Típ./Máx. | -25/-15 a Pout=45dBm |
| Supresión espuria | dBc | Típ./Máx. | -70/-65 a Pout=45dBm |
| VSWR de entrada | :1 | Típ./Máx. | 1,5/2 |
| Tensión de alimentación | En | Tipo. | 110-240 (47-61 Hz/Monofásico) |
| Consumo de energía | EN | Típ./Máx. | 500@ Pin=0dBm |
| Potencia de entrada | Pin ≤ 10 dBm (Nivel de RF de entrada sin daños) | ||
| Carga VSWR | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) Apagado (VSWR ≥ 5:1 y Pout ≥ 37 dBm) | ||
| Degradación térmica | 75℃ | ||
| Conector de entrada RF | TIPO N [F] | ||
| Conector de salida RF | TIPO N [F] | ||
| Conector de alimentación | Entrada de alimentación de CA de 3 cables (IEC320-C14, fusibles incluidos) | ||
| Conector de control | Conector D-Sub de 9 pines | ||
| Dimensión | 3U, 19 pulgadas | ||
| Peso | 20 kg | ||
| Refinamiento | Rociar plásticos | ||
| Disipación de calor | La unidad se enfría mediante aire forzado. | ||
| Ambiental | N / A | ||