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Modulo amplificatore di potenza a stato solido GaN da 50 W, 2-8 GHz, in contenitore rack 3U, per applicazioni di test 5G, LTE, Wi-Fi e compatibilità elettromagnetica (EMC).
Modulo RF
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Modulo amplificatore di potenza a stato solido GaN da 50 W, 2-8 GHz, in contenitore rack 3U, per applicazioni di test 5G, LTE, Wi-Fi e compatibilità elettromagnetica (EMC).

Questo amplificatore di potenza a stato solido da 50 W, con frequenza di 2-8 GHz e contenitore rack 3U, sfrutta la tecnologia GaN all'avanguardia, offrendo un'elevata potenza di uscita satura (tipicamente 48,5 dBm) e un'eccellente linearità. Supporta diversi tipi di segnale, tra cui CW, impulsi, banda larga e segnali di modulazione di ordine superiore. Grazie alle complete funzioni di protezione contro sovratemperatura, sovraccarico e VSWR elevato, è ideale per applicazioni di test 5G, LTE, Wi-Fi e compatibilità elettromagnetica (EMC). Il suo elevato guadagno, la bassa distorsione armonica e l'efficiente gestione termica lo rendono una soluzione affidabile per sistemi di comunicazione e test.

    Questo modulo amplificatore di potenza a stato solido GaN da 50 W e 2-8 GHz rappresenta l'avanguardia della tecnologia di amplificazione di potenza RF. Realizzato con un processo avanzato a semiconduttore al nitruro di gallio (GaN), eroga fino a 50 watt di potenza di uscita satura su un'ampia gamma di frequenze, mantenendo un'eccezionale planarità e linearità del guadagno. La sua elevata densità di potenza ed efficienza lo rendono particolarmente adatto ai moderni sistemi di comunicazione come 5G, LTE e Wi-Fi, nonché ad applicazioni esigenti come test EMC, radar e guerra elettronica.

    L'amplificatore integra diverse funzioni di protezione, tra cui protezione da sovratemperatura, sovraccarico e VSWR eccessivo, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili. Gli indicatori LED sul pannello frontale forniscono un monitoraggio in tempo reale dello stato di temperatura, ventola e allarmi dell'amplificatore, migliorando l'usabilità e la manutenzione. Il controllo e il monitoraggio remoti sono facilitati da un connettore D-Sub a 9 pin, che offre flessibilità per l'integrazione nel sistema.

    Dal punto di vista tecnico, il modulo offre un guadagno tipico di 48,5 dB nella banda 2-8 GHz, una soppressione delle armoniche superiore a -25 dBc, una soppressione delle spurie inferiore a -65 dBc e un VSWR in ingresso inferiore a 2:1. L'unità è raffreddata da un sistema ad aria forzata ed è alloggiata in uno chassis standard 3U da 19 pollici montabile su rack, garantendo una robusta gestione termica e una facile installazione.

    Ideale per laboratori di ricerca e sviluppo, integrazione di sistemi e test sul campo, questo dispositivo ad alta affidabilità modulo amplificatore di potenza GaN Offre un'amplificazione del segnale RF robusta e stabile, il che la rende una scelta ideale per settori come le telecomunicazioni, la difesa e l'industria aerospaziale.

    Specifiche elettriche

    Frequenza di lavoro

    2-8 GHz

    Potenza di uscita satura

    dBm

    Tip./Min.

    48,5/46,5@ Pin=0dBm

    P1dB

    dBm

    Tip./Min.

    44/41

    Guadagno

    dB

    Tip./Min.

    48,5/46,5@ Pin=0dBm

    Guadagno Flatness

    dB

    Tipo.

    ±1,5@ Pin=0dBm

    Guadagno di piccoli segnali

    UN

    Tipo.

    60@ Pin=-40dBm

    Planarità del guadagno per piccoli segnali

    :1

    Tipo.

    ±2@ Pin=-40dBm

    Isolamento@ Stato disabilitato

    Tipo.

    90

    Potenza in ingresso

    dBm

    Tipo.

    0

    Soppressione della seconda armonica

    dBc

    Tip./Max.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Soppressione della terza armonica

    dBc

    Tip./Max.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Soppressione spuria

    dBc

    Tip./Max.

    -70/-65@ Pout=45dBm

    VSWR in ingresso

    :1

    Tip./Max.

    1,5/2

    Tensione di alimentazione

    In

    Tipo.

    110-240 (47-61Hz/monofase)

    Consumo energetico

    IN

    Tip./Max.

    500@ Pin=0dBm

    Potenza in ingresso

    Pin≤10dBm (livello RF in ingresso senza danni)

    Carico VSWR

    VSWR≤3:1 (Pout=47dBm)

    Spegnere (VSWR ≥ 5:1 e Pout ≥ 37dBm)

    Degradazione termica

    75℃

    Connettore di ingresso RF

    TIPO N [F]

    Connettore di uscita RF

    TIPO N [F]

    Connettore di alimentazione

    Presa di alimentazione CA a 3 fili (IEC320-C14, fusibili inclusi)

    Connettore di controllo

    Connettore D-Sub a 9 pin

    Dimensione

    3U, 19 pollici

    Peso

    20 kg

    Finitura

    Spruzzatura di materie plastiche

    Dissipazione del calore

    L'unità è raffreddata mediante aria forzata

    Ambientale

    N / A

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