Modulo amplificatore di potenza a stato solido GaN da 50 W, 2-8 GHz, in contenitore rack 3U, per applicazioni di test 5G, LTE, Wi-Fi e compatibilità elettromagnetica (EMC).
Questo modulo amplificatore di potenza a stato solido GaN da 50 W e 2-8 GHz rappresenta l'avanguardia della tecnologia di amplificazione di potenza RF. Realizzato con un processo avanzato a semiconduttore al nitruro di gallio (GaN), eroga fino a 50 watt di potenza di uscita satura su un'ampia gamma di frequenze, mantenendo un'eccezionale planarità e linearità del guadagno. La sua elevata densità di potenza ed efficienza lo rendono particolarmente adatto ai moderni sistemi di comunicazione come 5G, LTE e Wi-Fi, nonché ad applicazioni esigenti come test EMC, radar e guerra elettronica.
L'amplificatore integra diverse funzioni di protezione, tra cui protezione da sovratemperatura, sovraccarico e VSWR eccessivo, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili. Gli indicatori LED sul pannello frontale forniscono un monitoraggio in tempo reale dello stato di temperatura, ventola e allarmi dell'amplificatore, migliorando l'usabilità e la manutenzione. Il controllo e il monitoraggio remoti sono facilitati da un connettore D-Sub a 9 pin, che offre flessibilità per l'integrazione nel sistema.
Dal punto di vista tecnico, il modulo offre un guadagno tipico di 48,5 dB nella banda 2-8 GHz, una soppressione delle armoniche superiore a -25 dBc, una soppressione delle spurie inferiore a -65 dBc e un VSWR in ingresso inferiore a 2:1. L'unità è raffreddata da un sistema ad aria forzata ed è alloggiata in uno chassis standard 3U da 19 pollici montabile su rack, garantendo una robusta gestione termica e una facile installazione.
Ideale per laboratori di ricerca e sviluppo, integrazione di sistemi e test sul campo, questo dispositivo ad alta affidabilità modulo amplificatore di potenza GaN Offre un'amplificazione del segnale RF robusta e stabile, il che la rende una scelta ideale per settori come le telecomunicazioni, la difesa e l'industria aerospaziale.
Specifiche elettriche
| Frequenza di lavoro | 2-8 GHz | ||
| Potenza di uscita satura | dBm | Tip./Min. | 48,5/46,5@ Pin=0dBm |
| P1dB | dBm | Tip./Min. | 44/41 |
| Guadagno | dB | Tip./Min. | 48,5/46,5@ Pin=0dBm |
| Guadagno Flatness | dB | Tipo. | ±1,5@ Pin=0dBm |
| Guadagno di piccoli segnali | UN | Tipo. | 60@ Pin=-40dBm |
| Planarità del guadagno per piccoli segnali | :1 | Tipo. | ±2@ Pin=-40dBm |
| Isolamento@ Stato disabilitato | Tipo. | 90 | |
| Potenza in ingresso | dBm | Tipo. | 0 |
| Soppressione della seconda armonica | dBc | Tip./Max. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Soppressione della terza armonica | dBc | Tip./Max. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Soppressione spuria | dBc | Tip./Max. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| VSWR in ingresso | :1 | Tip./Max. | 1,5/2 |
| Tensione di alimentazione | In | Tipo. | 110-240 (47-61Hz/monofase) |
| Consumo energetico | IN | Tip./Max. | 500@ Pin=0dBm |
| Potenza in ingresso | Pin≤10dBm (livello RF in ingresso senza danni) | ||
| Carico VSWR | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) Spegnere (VSWR ≥ 5:1 e Pout ≥ 37dBm) | ||
| Degradazione termica | 75℃ | ||
| Connettore di ingresso RF | TIPO N [F] | ||
| Connettore di uscita RF | TIPO N [F] | ||
| Connettore di alimentazione | Presa di alimentazione CA a 3 fili (IEC320-C14, fusibili inclusi) | ||
| Connettore di controllo | Connettore D-Sub a 9 pin | ||
| Dimensione | 3U, 19 pollici | ||
| Peso | 20 kg | ||
| Finitura | Spruzzatura di materie plastiche | ||
| Dissipazione del calore | L'unità è raffreddata mediante aria forzata | ||
| Ambientale | N / A | ||