2~8GHz 50W GaN 솔리드 스테이트 전력 증폭기 모듈(3U 랙 케이스) - 5G, LTE, WIFI 및 EMC 테스트 애플리케이션용 SSPA
이 2~8GHz 50W GaN 솔리드 스테이트 전력 증폭기 모듈은 최첨단 RF 전력 증폭 기술을 구현합니다. 고급 질화갈륨(GaN) 반도체 공정으로 제작된 이 모듈은 넓은 주파수 범위에서 최대 50W의 포화 출력 전력을 제공하며, 탁월한 이득 평탄도와 선형성을 유지합니다. 높은 전력 밀도와 효율성 덕분에 5G, LTE, Wi-Fi와 같은 최신 통신 시스템은 물론 EMC 테스트, 레이더, 전자전과 같은 까다로운 응용 분야에 특히 적합합니다.
이 앰프는 과열, 과구동 및 과VSWR 보호를 포함한 다양한 보호 기능을 내장하여 열악한 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 전면 패널의 LED 표시등은 온도, 팬 및 앰프 알람에 대한 실시간 상태 모니터링을 제공하여 사용 편의성과 유지 보수성을 향상시킵니다. D-Sub 9핀 커넥터를 통해 원격 제어 및 모니터링이 가능하여 시스템 통합에 유연성을 제공합니다.
기술적으로 이 모듈은 2~8GHz 대역에서 48.5dB의 일반적인 이득을 제공하며, 고조파 억제는 -25dBc 이상, 스퓨리어스 억제는 -65dBc 이하, 입력 VSWR은 2:1 미만입니다. 이 장치는 강제 공랭식 냉각 시스템을 사용하며 표준 3U 19인치 랙 마운트형 섀시에 장착되어 강력한 열 관리와 손쉬운 설치를 보장합니다.
연구 개발 실험실, 시스템 통합 및 현장 테스트에 이상적인 이 고신뢰성 장비는 GaN 전력 증폭기 모듈 이 제품은 강력하고 안정적인 RF 신호 증폭 기능을 제공하여 통신, 국방 및 항공우주와 같은 분야에서 최고의 선택이 됩니다.
전기 사양
| 작동 주파수 | 2-8GHz | ||
| 포화 출력 전력 | dBm | 일반/최소 | 48.5/46.5@ 핀=0dBm |
| P1dB | dBm | 일반/최소 | 44/41 |
| 얻다 | dB | 일반/최소 | 48.5/46.5@ 핀=0dBm |
| 이득 평탄도 | dB | 유형. | ±1.5@ 핀=0dBm |
| 소신호 이득 | 에이 | 유형. | 60@ Pin=-40dBm |
| 소신호 이득 평탄도 | :1 | 유형. | ±2@ 핀=-40dBm |
| 격리@ 상태 비활성화 | 유형. | 90 | |
| 입력 전력 | dBm | 유형. | 0 |
| 2차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -25/-15@ Pout=45dBm |
| 3차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -25/-15@ Pout=45dBm |
| 허위 억제 | dBc | 일반/최대 | -70/-65@ Pout=45dBm |
| 입력 VSWR | :1 | 일반/최대 | 1.5/2 |
| 공급 전압 | ~ 안에 | 유형. | 110-240 (47-61Hz/단상) |
| 전력 소비량 | 안에 | 일반/최대 | 500@ 핀=0dBm |
| 입력 전력 | 핀≤10dBm (손상 없는 입력 RF 레벨) | ||
| VSWR 부하 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) 전원 끄기 (VSWR ≥ 5:1 및 Pout ≥ 37dBm) | ||
| 열분해 | 75℃ | ||
| RF 입력 커넥터 | 유형 N [F] | ||
| RF 출력 커넥터 | 유형 N [F] | ||
| 전원 공급 커넥터 | 3선식 교류 전원 입력(IEC320-C14, 퓨즈 포함) | ||
| 제어 커넥터 | D-Sub 9핀 | ||
| 차원 | 3U, 19인치 | ||
| 무게 | 20kg | ||
| 마무리 손질 | 플라스틱 스프레이 | ||
| 열 방출 | 본 장치는 강제 공기 냉각 방식으로 냉각됩니다. | ||
| 환경 | 해당 없음 | ||