2–8 GHz 50 W GaN-Halbleiter-Leistungsverstärkermodul im 3U-Rackgehäuse (SSPA) für 5G-, LTE-, WLAN- und EMV-Testanwendungen

Dieses 2–8 GHz 50-W-GaN-Halbleiter-Leistungsverstärkermodul repräsentiert den neuesten Stand der HF-Leistungsverstärkungstechnologie. Gefertigt mit einem fortschrittlichen Galliumnitrid-Halbleiterprozess (GaN), liefert es bis zu 50 Watt gesättigte Ausgangsleistung über einen breiten Frequenzbereich und zeichnet sich dabei durch außergewöhnliche Verstärkungslinearität aus. Seine hohe Leistungsdichte und Effizienz machen es besonders geeignet für moderne Kommunikationssysteme wie 5G, LTE und WLAN sowie für anspruchsvolle Anwendungen wie EMV-Prüfungen, Radar und elektronische Kampfführung.

Der Verstärker verfügt über umfassende Schutzfunktionen, darunter Überhitzungs-, Übersteuerungs- und VSWR-Übersteuerungsschutz, und gewährleistet so einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Die LED-Anzeigen an der Vorderseite ermöglichen die Echtzeit-Statusüberwachung von Temperatur-, Lüfter- und Verstärkeralarmen und verbessern dadurch Bedienbarkeit und Wartung. Fernsteuerung und -überwachung erfolgen über einen 9-poligen D-Sub-Anschluss, der Flexibilität bei der Systemintegration bietet.

Technisch gesehen bietet das Modul eine typische Verstärkung von 48,5 dB im Frequenzbereich von 2–8 GHz, eine Oberwellenunterdrückung von besser als -25 dBc, eine Störsignalunterdrückung unter -65 dBc und ein Eingangs-VSWR unter 2:1. Das Gerät wird durch ein Zwangsluftsystem gekühlt und ist in einem standardmäßigen 3U-19-Zoll-Rackgehäuse untergebracht, was ein robustes Wärmemanagement und eine einfache Installation gewährleistet.

Ideal für Forschungs- und Entwicklungslabore, Systemintegration und Feldtests, diese hochzuverlässige GaN-Leistungsverstärkermodul bietet eine robuste und stabile HF-Signalverstärkung und ist daher eine Top-Wahl für Branchen wie Telekommunikation, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt.

Elektrische Spezifikation