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Module amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN 50 W, 2–8 GHz, boîtier rack 3U (SSPA) pour applications de test 5G, LTE, Wi-Fi et CEM
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Module amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN 50 W, 2–8 GHz, boîtier rack 3U (SSPA) pour applications de test 5G, LTE, Wi-Fi et CEM

Cet amplificateur de puissance à semi-conducteurs 3U de 2 à 8 GHz et 50 W, au format rack 3U, exploite la technologie GaN de pointe pour fournir une puissance de sortie saturée élevée (48,5 dBm typiquement) et une excellente linéarité. Il prend en charge différents types de signaux, notamment les signaux continus, impulsionnels, à large bande et à modulation d'ordre élevé. Grâce à ses protections complètes contre la surchauffe, la surcharge et un TOS élevé, il est idéal pour les applications de test 5G, LTE, Wi-Fi et CEM. Son gain élevé, sa faible distorsion harmonique et sa gestion thermique efficace en font une solution fiable pour les systèmes de communication et de test.

    Ce module amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN de 50 W (2–8 GHz) incarne le nec plus ultra en matière d'amplification de puissance RF. Fabriqué selon un procédé semi-conducteur avancé au nitrure de gallium (GaN), il délivre jusqu'à 50 watts de puissance de sortie saturée sur une large bande de fréquences, tout en conservant une linéarité et une planéité de gain exceptionnelles. Sa densité de puissance et son rendement élevés le rendent particulièrement adapté aux systèmes de communication modernes tels que la 5G, la LTE et le Wi-Fi, ainsi qu'aux applications exigeantes comme les tests CEM, les radars et la guerre électronique.

    L'amplificateur intègre de multiples protections, notamment contre la surchauffe, la saturation et le TOS excessif, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles. Les indicateurs LED en façade permettent une surveillance en temps réel de la température, du ventilateur et des alarmes de l'amplificateur, améliorant ainsi l'utilisation et la maintenance. Le contrôle et la surveillance à distance sont facilités par un connecteur D-Sub 9 broches, offrant une grande flexibilité d'intégration au système.

    Techniquement, le module offre un gain typique de 48,5 dB sur la bande 2–8 GHz, une suppression des harmoniques supérieure à -25 dBc, une suppression des signaux parasites inférieure à -65 dBc et un ROS d'entrée inférieur à 2:1. L'unité est refroidie par un système de ventilation forcée et logée dans un châssis rackable standard 3U 19 pouces, garantissant une gestion thermique robuste et une installation facile.

    Idéal pour les laboratoires de R&D, l'intégration de systèmes et les essais sur le terrain, ce produit haute fiabilité Module amplificateur de puissance GaN Elle assure une amplification robuste et stable du signal RF, ce qui en fait un choix de premier ordre pour des secteurs tels que les télécommunications, la défense et l'aérospatiale.

    Spécifications électriques

    Fréquence de fonctionnement

    2-8 GHz

    Puissance de sortie saturée

    dBm

    Typ./Min.

    48,5/46,5 à Pin=0 dBm

    P1dB

    dBm

    Typ./Min.

    44/41

    Gagner

    dB

    Typ./Min.

    48,5/46,5 à Pin=0 dBm

    Gain de platitude

    dB

    Taper.

    ±1,5 à Pin=0 dBm

    Gain en petit signal

    UN

    Taper.

    60@ Pin=-40dBm

    Linéarité du gain en petits signaux

    :1

    Taper.

    ±2@ Pin=-40dBm

    Isolement@ Statut désactivé

    Taper.

    90

    Puissance d'entrée

    dBm

    Taper.

    0

    Suppression de la seconde harmonique

    dBc

    Typ./Max.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Suppression de la 3e harmonique

    dBc

    Typ./Max.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Suppression fallacieuse

    dBc

    Typ./Max.

    -70/-65@ Pout=45dBm

    ROS d'entrée

    :1

    Typ./Max.

    1,5/2

    Tension d'alimentation

    Dans

    Taper.

    110-240 (47-61 Hz/Monophasé)

    Consommation d'énergie

    DANS

    Typ./Max.

    500@ Pin=0dBm

    Puissance d'entrée

    Pin≤10dBm (Niveau RF d'entrée sans dommage)

    ROS de charge

    ROS ≤ 3:1 (Pout = 47 dBm)

    Mise hors tension (ROS ≥ 5:1 et Pout ≥ 37 dBm)

    Dégradation thermique

    75℃

    Connecteur d'entrée RF

    TYPE N [F]

    Connecteur de sortie RF

    TYPE N [F]

    Connecteur d'alimentation

    Entrée d'alimentation CA à 3 fils (IEC320-C14, fusibles inclus)

    Connecteur de commande

    Connecteur D-Sub 9 broches

    Dimension

    3U, 19 pouces

    Poids

    20 kg

    Finition

    Pulvérisation de plastiques

    Dissipation de la chaleur

    L'unité est refroidie par un système de ventilation forcée.

    Environnement

    N / A

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