Module amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN 50 W, 2–8 GHz, boîtier rack 3U (SSPA) pour applications de test 5G, LTE, Wi-Fi et CEM
Ce module amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN de 50 W (2–8 GHz) incarne le nec plus ultra en matière d'amplification de puissance RF. Fabriqué selon un procédé semi-conducteur avancé au nitrure de gallium (GaN), il délivre jusqu'à 50 watts de puissance de sortie saturée sur une large bande de fréquences, tout en conservant une linéarité et une planéité de gain exceptionnelles. Sa densité de puissance et son rendement élevés le rendent particulièrement adapté aux systèmes de communication modernes tels que la 5G, la LTE et le Wi-Fi, ainsi qu'aux applications exigeantes comme les tests CEM, les radars et la guerre électronique.
L'amplificateur intègre de multiples protections, notamment contre la surchauffe, la saturation et le TOS excessif, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles. Les indicateurs LED en façade permettent une surveillance en temps réel de la température, du ventilateur et des alarmes de l'amplificateur, améliorant ainsi l'utilisation et la maintenance. Le contrôle et la surveillance à distance sont facilités par un connecteur D-Sub 9 broches, offrant une grande flexibilité d'intégration au système.
Techniquement, le module offre un gain typique de 48,5 dB sur la bande 2–8 GHz, une suppression des harmoniques supérieure à -25 dBc, une suppression des signaux parasites inférieure à -65 dBc et un ROS d'entrée inférieur à 2:1. L'unité est refroidie par un système de ventilation forcée et logée dans un châssis rackable standard 3U 19 pouces, garantissant une gestion thermique robuste et une installation facile.
Idéal pour les laboratoires de R&D, l'intégration de systèmes et les essais sur le terrain, ce produit haute fiabilité Module amplificateur de puissance GaN Elle assure une amplification robuste et stable du signal RF, ce qui en fait un choix de premier ordre pour des secteurs tels que les télécommunications, la défense et l'aérospatiale.
Spécifications électriques
| Fréquence de fonctionnement | 2-8 GHz | ||
| Puissance de sortie saturée | dBm | Typ./Min. | 48,5/46,5 à Pin=0 dBm |
| P1dB | dBm | Typ./Min. | 44/41 |
| Gagner | dB | Typ./Min. | 48,5/46,5 à Pin=0 dBm |
| Gain de platitude | dB | Taper. | ±1,5 à Pin=0 dBm |
| Gain en petit signal | UN | Taper. | 60@ Pin=-40dBm |
| Linéarité du gain en petits signaux | :1 | Taper. | ±2@ Pin=-40dBm |
| Isolement@ Statut désactivé | Taper. | 90 | |
| Puissance d'entrée | dBm | Taper. | 0 |
| Suppression de la seconde harmonique | dBc | Typ./Max. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Suppression de la 3e harmonique | dBc | Typ./Max. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Suppression fallacieuse | dBc | Typ./Max. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| ROS d'entrée | :1 | Typ./Max. | 1,5/2 |
| Tension d'alimentation | Dans | Taper. | 110-240 (47-61 Hz/Monophasé) |
| Consommation d'énergie | DANS | Typ./Max. | 500@ Pin=0dBm |
| Puissance d'entrée | Pin≤10dBm (Niveau RF d'entrée sans dommage) | ||
| ROS de charge | ROS ≤ 3:1 (Pout = 47 dBm) Mise hors tension (ROS ≥ 5:1 et Pout ≥ 37 dBm) | ||
| Dégradation thermique | 75℃ | ||
| Connecteur d'entrée RF | TYPE N [F] | ||
| Connecteur de sortie RF | TYPE N [F] | ||
| Connecteur d'alimentation | Entrée d'alimentation CA à 3 fils (IEC320-C14, fusibles inclus) | ||
| Connecteur de commande | Connecteur D-Sub 9 broches | ||
| Dimension | 3U, 19 pouces | ||
| Poids | 20 kg | ||
| Finition | Pulvérisation de plastiques | ||
| Dissipation de la chaleur | L'unité est refroidie par un système de ventilation forcée. | ||
| Environnement | N / A | ||