2～8GHz 50W GaNソリッドステートパワーアンプモジュール 3Uラックケース SSPA（5G、LTE、WIFI、EMC試験アプリケーション向け）

この2～8GHz 50W GaNソリッドステートパワーアンプモジュールは、RFパワー増幅技術の最先端を体現しています。高度な窒化ガリウム（GaN）半導体プロセスで製造されており、広い周波数範囲で最大50ワットの飽和出力電力を実現すると同時に、優れたゲイン平坦性と直線性も維持します。高い電力密度と効率性により、5G、LTE、Wi-Fiなどの最新の通信システムはもちろん、EMC試験、レーダー、電子戦といった要求の厳しい用途にも最適です。

このアンプは、過熱、過負荷、過VSWR保護など、複数の保護機能を搭載しており、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を保証します。前面パネルのLEDインジケーターは、温度、ファン、アンプのアラームなどのステータスをリアルタイムで監視できるため、使いやすさとメンテナンス性が向上します。D-Sub 9ピンコネクタを介してリモート制御と監視が可能で、システム統合の柔軟性を高めます。

技術的には、このモジュールは2～8GHzの周波数帯域で48.5dBの標準ゲイン、-25dBc以上の高調波抑制、-65dBc以下のスプリアス抑制、および2:1以下の入力VSWRを実現しています。本機は強制空冷式で、標準的な3Uサイズの19インチラックマウントシャーシに収められており、堅牢な熱管理と容易な設置を可能にしています。

研究開発ラボ、システム統合、フィールドテストに最適な、高信頼性 GaNパワーアンプモジュール 堅牢で安定したRF信号増幅を実現するため、通信、防衛、航空宇宙などの分野で最適な選択肢となっています。

電気仕様