Módulo amplificador de potência de estado sólido GaN de 50 W, 2–8 GHz, em gabinete rack 3U, para aplicações de teste de 5G, LTE, Wi-Fi e EMC.
Este módulo amplificador de potência de estado sólido GaN de 50 W, com faixa de frequência de 2 a 8 GHz, incorpora o que há de mais moderno em tecnologia de amplificação de potência de RF. Construído com o avançado processo semicondutor de nitreto de gálio (GaN), ele fornece até 50 watts de potência de saída saturada em uma ampla faixa de frequência, mantendo excepcional planicidade e linearidade de ganho. Sua alta densidade de potência e eficiência o tornam particularmente adequado para sistemas de comunicação modernos, como 5G, LTE e Wi-Fi, bem como para aplicações exigentes como testes de EMC, radar e guerra eletrônica.
O amplificador incorpora diversos recursos de proteção, incluindo proteção contra sobretemperatura, sobrecarga e sobre-VSWR, garantindo operação confiável mesmo em condições adversas. Os indicadores LED no painel frontal fornecem monitoramento em tempo real do status de temperatura, ventoinha e alarmes do amplificador, aprimorando a usabilidade e a manutenção. O controle e o monitoramento remotos são facilitados por um conector D-Sub de 9 pinos, oferecendo flexibilidade para integração do sistema.
Tecnicamente, o módulo oferece um ganho típico de 48,5 dB na faixa de 2 a 8 GHz, supressão de harmônicos melhor que -25 dBc, supressão de espúrios abaixo de -65 dBc e ROE de entrada inferior a 2:1. A unidade é refrigerada por um sistema de ar forçado e alojada em um chassi padrão de 3U para montagem em rack de 19 polegadas, garantindo um gerenciamento térmico robusto e fácil instalação.
Ideal para laboratórios de P&D, integração de sistemas e testes de campo, este produto de alta confiabilidade módulo amplificador de potência GaN Oferece amplificação de sinal de radiofrequência robusta e estável, tornando-se uma das principais opções para setores como telecomunicações, defesa e aeroespacial.
Especificações elétricas
| Frequência de trabalho | 2-8 GHz | ||
| Potência de saída saturada | dBm | Típ./Mín. | 48,5/46,5@ Pino=0dBm |
| P1dB | dBm | Típ./Mín. | 44/41 |
| Ganho | dB | Típ./Mín. | 48,5/46,5@ Pino=0dBm |
| Planicidade de ganho | dB | Tipo. | ±1,5@ Pino=0dBm |
| Ganho de sinal pequeno | UM | Tipo. | 60@ Pino = -40dBm |
| Planicidade do ganho de sinal pequeno | :1 | Tipo. | ±2@ Pino=-40dBm |
| Isolamento@ Status Desativado | Tipo. | 90 | |
| Potência de entrada | dBm | Tipo. | 0 |
| Supressão do 2º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Supressão do 3º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -25/-15@ Pout=45dBm |
| Supressão Espúria | dBc | Típ./Máx. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| VSWR de entrada | :1 | Típ./Máx. | 1,5/2 |
| Tensão de alimentação | Em | Tipo. | 110-240 (47-61Hz/Monofásico) |
| Consumo de energia | EM | Típ./Máx. | 500@ Pino=0dBm |
| Potência de entrada | Pino≤10dBm (Nível de RF de entrada sem danos) | ||
| VSWR de carga | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) Desligado (VSWR ≥ 5:1 e Pout ≥ 37dBm) | ||
| Degradação Térmica | 75℃ | ||
| Conector de entrada RF | TIPO N [F] | ||
| Conector de saída RF | TIPO N [F] | ||
| Conector de alimentação | Entrada de alimentação CA de 3 fios (IEC320-C14, incluindo fusíveis) | ||
| Conector de controle | D-Sub 9 pinos | ||
| Dimensão | 3U, 19 polegadas | ||
| Peso | 20 kg | ||
| Acabamento | Pulverização de plásticos | ||
| Dissipação de calor | A unidade é refrigerada por ar forçado. | ||
| Ambiental | N / D | ||