Amplificador de potencia de RF SSPA de banda ultraancha de 2-8 GHz y 50 W con alta linealidad para pruebas 5G.

Este amplificador de potencia de estado sólido de 50 W y 2-8 GHz representa la vanguardia en tecnología de amplificación de RF. Fabricado con un avanzado diseño de GaN, ofrece un rendimiento de potencia y una linealidad excepcionales en un amplio rango de frecuencias, con una potencia de salida saturada típica de 48,5 dBm y un P1dB de 41 dBm. Su alta ganancia y respuesta plana le permiten manejar diversos tipos de señales, incluyendo ondas continuas, pulsos, señales de ancho de banda instantáneo amplio y señales moduladas de alto orden, lo que lo hace ideal para aplicaciones modernas de comunicación y pruebas.

El amplificador está equipado con funciones de protección integrales, como protección contra sobretemperatura, sobrecarga y sobre-VSWR, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en condiciones adversas. Además, incluye un sistema de alarma del ventilador y una gestión térmica eficiente mediante refrigeración por aire externa, operando en un rango de temperatura de -10 °C a +55 °C.

Ideal para su uso en sistemas 5G, redes LTE, infraestructura Wi-Fi, pruebas EMC, electrónica de defensa y sistemas de radar, este amplificador de RF de alta potencia ofrece un rendimiento robusto y una gran capacidad de integración. Con unas dimensiones compactas de 160 x 120 x 20 mm y un peso de tan solo 2 kg, está diseñado para integrarse fácilmente en diversas configuraciones. La unidad cuenta con conectores de entrada SMA hembra y de salida N hembra, además de interfaces de control D-Sub para una conectividad perfecta.

Ya sea en laboratorios de I+D o en aplicaciones de campo, este amplificador de potencia de 2-8 GHz proporciona un rendimiento fiable y de alta eficiencia, lo que lo convierte en un componente esencial en entornos avanzados de comunicación inalámbrica y pruebas electrónicas.

Amplificador de potencia de estado sólido de 2-8 GHz y 50 W

Descripción del Producto

Este es un amplificador de potencia de estado sólido de alta ganancia de 2-8 GHz con potencia de saturación ≥46,5 dBm y tecnología de diseño GaN de última generación. Ofrece una mayor potencia de salida de saturación manteniendo un P1dB más alto y una mejor linealidad, y puede adaptarse a diversos modos de señal, como onda continua, pulso, señal de ancho de banda instantáneo amplio, señal de modulación de alto orden, etc. Está diseñado para aplicaciones como 5G, LTE, Wi-Fi, pruebas EMC, etc.

Especificaciones eléctricas