Ultrabreitbandiger 2-8 GHz 50-W-HF-Leistungsverstärker SSPA mit hoher Linearität für 5G-Tests

Dieser 2–8 GHz 50-W-Halbleiter-Leistungsverstärker repräsentiert modernste HF-Verstärkungstechnologie. Dank fortschrittlicher GaN-Technologie bietet er herausragende Leistung und Linearität über einen breiten Frequenzbereich mit einer typischen Sättigungsausgangsleistung von 48,5 dBm und einem P1dB-Wert von 41 dBm. Seine hohe Verstärkung und der flache Frequenzgang ermöglichen die Verarbeitung verschiedenster Signalarten, darunter Dauerstrich-, Impuls-, Breitband- und hochmodulierte Signale. Damit ist er ideal für moderne Kommunikations- und Testanwendungen.

Der Verstärker verfügt über umfassende Schutzfunktionen wie Überhitzungs-, Übersteuerungs- und VSWR-Übersteuerungsschutz und gewährleistet so einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Er ist außerdem mit einem Lüfteralarmsystem und einem effizienten Wärmemanagement mit externer Luftkühlung ausgestattet und kann in einem Temperaturbereich von -10 °C bis +55 °C betrieben werden.

Dieser Hochleistungs-HF-Verstärker eignet sich ideal für den Einsatz in 5G-Systemen, LTE-Netzen, WLAN-Infrastrukturen, EMV-Prüfungen, Verteidigungselektronik und Radarsystemen und bietet robuste Leistung sowie hohe Integrationsfähigkeit. Mit kompakten Abmessungen von 160 x 120 x 20 mm und einem Gewicht von nur 2 kg lässt er sich problemlos in verschiedene Umgebungen integrieren. Das Gerät verfügt über SMA-Buchsen als Eingang und N-Buchsen als Ausgang sowie D-Sub-Steuerschnittstellen für eine nahtlose Konnektivität.

Ob im Forschungs- und Entwicklungslabor oder im Feldeinsatz – dieser 2-8-GHz-Leistungsverstärker bietet eine zuverlässige und hocheffiziente Leistung und ist somit eine unverzichtbare Komponente in fortschrittlichen drahtlosen Kommunikations- und Elektroniktestumgebungen.

2-8 GHz 50 W Halbleiter-Leistungsverstärker

Produktbeschreibung

Dies ist ein Hochleistungs-Halbleiterverstärker mit hoher Verstärkung (2–8 GHz, Sättigungsleistung ≥ 46,5 dBm) und modernster GaN-Technologie. Er bietet eine höhere Sättigungsausgangsleistung bei gleichzeitig hohem P1dB-Wert und verbesserter Linearität und ist für verschiedene Signalarten wie Dauerstrich-, Impuls-, Breitband- und Modulationssignale geeignet. Er ist für Anwendungen wie 5G, LTE, WLAN, EMV-Prüfungen usw. konzipiert.

Elektrische Spezifikation