Amplificateur de puissance RF SSPA ultra large bande 2-8 GHz 50 W à haute linéarité pour les tests 5G

Cet amplificateur de puissance à semi-conducteurs de 2 à 8 GHz et de 50 W incarne le nec plus ultra en matière d'amplification RF. Grâce à sa conception avancée au GaN, il offre des performances et une linéarité exceptionnelles sur une large bande de fréquences, avec une puissance de sortie saturée typique de 48,5 dBm et un gain à 1 dB (P1dB) de 41 dBm. Son gain élevé et sa réponse plate lui permettent de traiter une grande variété de signaux, notamment les signaux continus, impulsionnels, à large bande passante instantanée et modulés d'ordre élevé, ce qui le rend idéal pour les applications de communication et de test modernes.

L'amplificateur est doté de protections complètes contre la surchauffe, la saturation et le TOS excessif, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles. Il intègre également un système d'alarme pour le ventilateur et une gestion thermique efficace grâce à un refroidissement par air externe, et fonctionne dans une plage de températures allant de -10 °C à +55 °C.

Idéal pour les systèmes 5G, les réseaux LTE, les infrastructures Wi-Fi, les tests CEM, l'électronique de défense et les systèmes radar, cet amplificateur RF haute puissance offre des performances robustes et une grande facilité d'intégration. Avec des dimensions compactes de 160 x 120 x 20 mm et un poids de seulement 2 kg, il est conçu pour une intégration aisée dans diverses configurations. L'appareil est équipé de connecteurs d'entrée SMA femelle et de sortie N femelle, ainsi que d'interfaces de contrôle D-Sub pour une connectivité optimale.

Qu’il soit déployé dans des laboratoires de R&D ou sur le terrain, cet amplificateur de puissance 2-8 GHz offre des performances fiables et à haut rendement, ce qui en fait un composant essentiel dans les environnements de communication sans fil avancés et de tests électroniques.

Amplificateur de puissance à semi-conducteurs 2-8 GHz 50 W

Description du produit

Il s'agit d'un amplificateur de puissance à semi-conducteurs à gain élevé (2-8 GHz, puissance saturée ≥ 46,5 dBm) intégrant une technologie GaN de pointe. Il offre une puissance de sortie saturée élevée tout en conservant un P1dB élevé et une meilleure linéarité. Il s'adapte à divers modes de signal, tels que les signaux continus, impulsionnels, à large bande passante instantanée, à modulation d'ordre élevé, etc. Il est conçu pour des applications comme la 5G, la LTE, le Wi-Fi, les tests CEM, etc.

Spécifications électriques