Module amplificateur de puissance à semi-conducteurs (SSPA) large bande 2-8 GHz 100 W avec technologie GaN

Ce module amplificateur de puissance à large bande 2-8 GHz est une solution d'amplification à semi-conducteurs de 100 W conçue pour les systèmes RF hautes performances. Technologie du nitrure de gallium (GaN), il livre Puissance de sortie saturée ≥ 46,5 dBm (48,5 dBm typ.) et 44 dBm P1 dB Sur la bande de fréquences 2-8 GHz, répondant aux exigences critiques de densité de puissance dans les domaines du radar, des communications et de la guerre électronique. Gain élevé de 48,5 dB et une planéité de ±1,5 dB, le module assure l'intégrité du signal, tandis que la suppression des harmoniques de -25 dBc améliore la pureté spectrale.

Ce module amplificateur de puissance à large bande traite les signaux continus, pulsés et modulés complexes avec une large bande passante instantanée. La protection intégrée contre le TOS (tolérance aux charges ≤ 3:1), la surchauffe (déclassement thermique à 75 °C) et les surintensités/surtensions garantit sa fiabilité en environnements difficiles. L'interface D-Sub 7W2 permet un fonctionnement en 28 V CC avec surveillance : des capteurs de température (10 mV/°C) et de courant (100 mV/A) fournissent un retour d'information précis pour le contrôle du système.

Idéal pour Amplification du signal RF Dans les émetteurs radar à antenne réseau, les stations terrestres de communication par satellite et les systèmes de test CEM, ce module assure une commutation rapide de 2 µs (pilotage TTL à 1 kHz) pour les applications pulsées. Son atténuation des signaux parasites de -70 dBc répond aux normes militaires, tandis que sa consommation électrique totale ≤ 500 W le rend idéal pour les déploiements embarqués.