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Módulo amplificador de potência de estado sólido (SSPA) de banda larga de 2 a 8 GHz e 100 W com tecnologia GaN.
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Módulo amplificador de potência de estado sólido (SSPA) de banda larga de 2 a 8 GHz e 100 W com tecnologia GaN.

Esse O amplificador de potência de estado sólido GaN de 100 W, operando entre 2 e 8 GHz, oferece potência saturada de ≥46,5 dBm e ganho de 48,5 dB. Projetado para sinais CW, pulsados ​​e modulados em banda larga, apresenta planicidade de ganho de ±1,5 dB e supressão de harmônicos de ≤-25 dBc. Com proteção integrada contra ROE, superaquecimento e sobrecorrente, este módulo se destaca em testes de radar, guerra eletrônica e EMC. Opera com 28 V CC, tolera cargas com ROE ≤ 3:1 e atinge velocidade de comutação de 2 μs.

    Este módulo amplificador de potência de banda larga de 2 a 8 GHz é uma solução de amplificação de estado sólido de 100 W projetada para sistemas de RF de alto desempenho. Tecnologia de nitreto de gálio (GaN), ele entrega Potência de saída saturada ≥46,5dBm (48,5 dBm típico) e 44dBm P1dB na faixa de 2 a 8 GHz, atendendo aos requisitos críticos de densidade de potência em radares, comunicações e guerra eletrônica. Alto ganho de 48,5dB Com uma resposta de frequência plana de ±1,5dB, o módulo garante a integridade do sinal, enquanto a supressão harmônica de -25dBc aprimora a pureza espectral.

    Este módulo amplificador de potência de banda larga processa sinais CW, pulsados ​​e modulados complexos com ampla largura de banda instantânea. A proteção integrada contra ROE (tolera cargas ≤3:1), superaquecimento (redução térmica a 75 °C) e sobrecorrente/tensão garante confiabilidade em ambientes adversos. A interface D-Sub 7W2 permite operação em 28 V CC com monitoramento – sensores de temperatura (10 mV/°C) e corrente (100 mV/A) fornecem feedback preciso para o controle do sistema.

    Ideal para Amplificação de sinal de RF Em transmissores de radar de matriz faseada, estações terrestres de comunicação via satélite e sistemas de teste EMC, o módulo atinge comutação rápida de 2 μs (acionado por TTL de 1 kHz) para aplicações pulsadas. Sua supressão de sinais espúrios de -70 dBc atende aos padrões militares, enquanto o consumo total de energia de ≤500 W é adequado para implantações embarcadas.

    Frequência de trabalho

    2-8 GHz

    Potência de saída saturada

    dBm

    Típ./Mín.

    48,5/46,5@ Pino=0dBm

    P1dB

    dBm

    Típ./Mín.

    44/41

    Ganho

    dB

    Típ./Mín.

    48,5/46,5@ Pino=0dBm

    Planicidade de ganho

    dB

    Tipo.

    ±1,5@ Pino=0dBm

    Ganho de sinal pequeno

    UM

    Tipo.

    60@ Pino = -40dBm

    Planicidade do ganho de sinal pequeno

    :1

    Tipo.

    ±2@ Pino=-40dBm

    Isolamento@ Status Desativado

    Tipo.

    90

    Potência de entrada

    dBm

    Tipo.

    0

    Supressão do 2º Harmônico

    dBc

    Típ./Máx.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Supressão do 3º Harmônico

    dBc

    Típ./Máx.

    -25/-15@ Pout=45dBm

    Supressão Espúria

    dBc

    Típ./Máx.

    -70/-65@ Pout=45dBm

    VSWR de entrada

    :1

    Típ./Máx.

    1,5/2

    Tensão de alimentação

    Em

    Tipo.

    110-240 (47-61Hz/Monofásico)

    Consumo de energia

    EM

    Típ./Máx.

    500@ Pino=0dBm

    Potência de entrada

    Pino≤10dBm (Nível de RF de entrada sem danos)

    VSWR de carga

    VSWR≤3:1 (Pout=47dBm)

    Desligado (VSWR ≥ 5:1 e Pout ≥ 37dBm)

    Degradação Térmica

    75℃

    Conector de entrada RF

    TIPO N [F]

    Conector de saída RF

    TIPO N [F]

    Conector de alimentação

    Entrada de alimentação CA de 3 fios (IEC320-C14, incluindo fusíveis)

    Conector de controle

    D-Sub 9 pinos

    Dimensão

    3U, 19 polegadas

    Peso

    20 kg

    Acabamento

    Pulverização de plásticos

    Dissipação de calor

    A unidade é refrigerada por ar forçado.

    Ambiental

    N / D

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