GaN 기술이 적용된 광대역 2-8GHz 100W 솔리드 스테이트 전력 증폭기 모듈(SSPA)
이 2-8GHz 광대역 전력 증폭기 모듈은 고성능 RF 시스템을 위해 설계된 100W 솔리드 스테이트 증폭기 솔루션입니다. 질화갈륨(GaN) 기술그것은 전달합니다 ≥46.5dBm 포화 출력 전력 (일반적으로 48.5dBm) 및 44dBm P1dB 2~8GHz 대역에서 레이더, 통신 및 전자전 분야의 핵심 전력 밀도 요구 사항을 충족합니다. 48.5dB 고이득 ±1.5dB의 평탄도를 제공하는 이 모듈은 신호 무결성을 보장하며, -25dBc의 고조파 억제 기능은 스펙트럼 순도를 향상시킵니다.
이 광대역 전력 증폭기 모듈은 넓은 순간 대역폭으로 CW, 펄스 및 복합 변조 신호를 처리합니다. VSWR(3:1 이하 부하 허용), 과열(75℃ 열 디레이팅) 및 과전류/과전압에 대한 통합 보호 기능이 열악한 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. D-Sub 7W2 인터페이스를 통해 28V DC 전원으로 작동하며, 온도(10mV/℃) 및 전류(100mV/A) 센서가 시스템 제어를 위한 정밀한 피드백을 제공합니다.
~에 이상적입니다 RF 신호 증폭 위상 배열 레이더 송신기, 위성 통신 지상국 및 EMC 테스트 시스템에 사용되는 이 모듈은 펄스 애플리케이션에서 2μs의 빠른 스위칭 속도(1kHz TTL 구동)를 제공합니다. -70dBc의 스퓨리어스 억제 성능은 군사 표준을 충족하며, 총 전력 소비량은 500W 이하로 임베디드 환경에 적합합니다.
| 작동 주파수 | 2-8GHz | ||
| 포화 출력 전력 | dBm | 일반/최소 | 48.5/46.5@ 핀=0dBm |
| P1dB | dBm | 일반/최소 | 44/41 |
| 얻다 | dB | 일반/최소 | 48.5/46.5@ 핀=0dBm |
| 이득 평탄도 | dB | 유형. | ±1.5@ 핀=0dBm |
| 소신호 이득 | 에이 | 유형. | 60@ Pin=-40dBm |
| 소신호 이득 평탄도 | :1 | 유형. | ±2@ 핀=-40dBm |
| 격리@ 상태 비활성화 | 유형. | 90 | |
| 입력 전력 | dBm | 유형. | 0 |
| 2차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -25/-15@ Pout=45dBm |
| 3차 고조파 억제 | dBc | 일반/최대 | -25/-15@ Pout=45dBm |
| 허위 억제 | dBc | 일반/최대 | -70/-65@ Pout=45dBm |
| 입력 VSWR | :1 | 일반/최대 | 1.5/2 |
| 공급 전압 | ~ 안에 | 유형. | 110-240 (47-61Hz/단상) |
| 전력 소비량 | 안에 | 일반/최대 | 500@ 핀=0dBm |
| 입력 전력 | 핀≤10dBm (손상 없는 입력 RF 레벨) | ||
| VSWR 부하 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) 전원 끄기 (VSWR ≥ 5:1 및 Pout ≥ 37dBm) | ||
| 열분해 | 75℃ | ||
| RF 입력 커넥터 | 유형 N [F] | ||
| RF 출력 커넥터 | 유형 N [F] | ||
| 전원 공급 커넥터 | 3선식 교류 전원 입력(IEC320-C14, 퓨즈 포함) | ||
| 제어 커넥터 | D-Sub 9핀 | ||
| 차원 | 3U, 19인치 | ||
| 무게 | 20kg | ||
| 마무리 손질 | 플라스틱 스프레이 | ||
| 열 방출 | 본 장치는 강제 공기 냉각 방식으로 냉각됩니다. | ||
| 환경 | 해당 없음 | ||