Breitbandiges 2-8 GHz 100-W-Halbleiter-Leistungsverstärkermodul SSPA mit GaN-Technologie

Dieses 2-8 GHz Breitband-Leistungsverstärkermodul ist eine 100-W-Halbleiterverstärkerlösung, die für Hochleistungs-HF-Systeme entwickelt wurde. Galliumnitrid (GaN)-TechnologieEs liefert ≥46,5 dBm gesättigte Ausgangsleistung (48,5 dBm typ.) und 44dBm P1dB Im Frequenzbereich von 2–8 GHz werden die kritischen Anforderungen an die Leistungsdichte in Radar, Kommunikation und elektronischer Kriegsführung erfüllt. 48,5 dB hohe Verstärkung und einer Frequenzgangflachheit von ±1,5 dB gewährleistet das Modul die Signalintegrität, während die Oberwellenunterdrückung von -25 dBc die spektrale Reinheit verbessert.

Dieses Breitband-Leistungsverstärkermodul verarbeitet CW-, Puls- und komplex modulierte Signale mit großer momentaner Bandbreite. Integrierte Schutzfunktionen gegen VSWR (bis zu einem Lastverhältnis von ≤ 3:1), Überhitzung (thermische Leistungsreduzierung bis 75 °C) und Überstrom/Überspannung gewährleisten Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen. Die D-Sub-7W2-Schnittstelle ermöglicht den Betrieb mit 28 V DC und Überwachung – Temperatur- (10 mV/°C) und Stromsensoren (100 mV/A) liefern präzise Rückmeldungen für die Systemsteuerung.

Ideal für HF-Signalverstärkung In Phased-Array-Radarsendern, Satellitenkommunikations-Bodenstationen und EMV-Prüfsystemen erreicht das Modul eine Schaltzeit von 2 µs (1 kHz TTL-Ansteuerung) für gepulste Anwendungen. Seine Störunterdrückung von -70 dBc erfüllt Militärstandards, während der Gesamtleistungsverbrauch von ≤ 500 W für eingebettete Systeme geeignet ist.