GaNテクノロジーを採用した広帯域2～8GHz 100Wソリッドステートパワーアンプモジュール（SSPA）

この2～8GHz広帯域パワーアンプモジュールは、高性能RFシステム向けに設計された100Wソリッドステートアンプソリューションです。 窒化ガリウム（GaN）技術届けます 飽和出力電力 ≥46.5dBm （48.5dBm標準値） 44dBm P1dB 2～8GHz帯で、レーダー、通信、電子戦における重要な電力密度要件に対応します。 48.5dBの高ゲイン また、±1.5dBの平坦性により信号の完全性が確保され、-25dBcの高調波抑制によりスペクトル純度が向上します。

この広帯域パワーアンプモジュールは、広い瞬時帯域幅でCW、パルス、および複雑変調信号を処理します。VSWR（3:1以下の負荷に対応）、過熱（75℃での熱ディレーティング）、および過電流/過電圧に対する保護機能を内蔵しており、過酷な環境下でも高い信頼性を確保します。D-Sub 7W2インターフェースにより、28V DC動作が可能で、温度（10mV/℃）および電流（100mV/A）センサーによるモニタリング機能により、システム制御のための高精度なフィードバックが得られます。

理想的な RF信号増幅 フェーズドアレイレーダー送信機、衛星通信地上局、EMC試験システムにおいて、このモジュールはパルスアプリケーション向けに2μsの高速スイッチング（1kHz TTL駆動）を実現します。-70dBcのスプリアス抑制性能は軍事規格を満たし、総消費電力は500W以下であるため、組み込み用途に適しています。