Amplificador de potência RF SSPA de banda ultralarga de 2 a 8 GHz e 50 W com alta linearidade para testes de 5G.
Este amplificador de potência de estado sólido de 50 W e 2-8 GHz incorpora o que há de mais moderno em tecnologia de amplificação de RF. Construído com design GaN avançado, oferece desempenho de potência e linearidade excepcionais em uma ampla faixa de frequência, com potência de saída saturada típica de 48,5 dBm e P1dB de 41 dBm. Seu alto ganho e resposta plana o tornam capaz de lidar com diversos tipos de sinais, incluindo ondas contínuas, pulsos, ampla largura de banda instantânea e sinais modulados de alta ordem, tornando-o ideal para aplicações modernas de comunicação e teste.
O amplificador está equipado com recursos de proteção abrangentes, como proteção contra sobretemperatura, sobrecarga e sobre-VSWR, garantindo operação confiável em condições adversas. Ele também inclui um sistema de alarme de ventoinha e gerenciamento térmico eficiente com resfriamento a ar externo, operando em uma faixa de temperatura de -10 °C a +55 °C.
Ideal para uso em sistemas 5G, redes LTE, infraestrutura Wi-Fi, testes de EMC, eletrônica de defesa e sistemas de radar, este amplificador de RF de alta potência oferece desempenho robusto e alta capacidade de integração. Com dimensões compactas de 160 x 120 x 20 mm e peso de apenas 2 kg, foi projetado para fácil integração em diversas configurações. A unidade possui conectores de entrada SMA fêmea e conectores de saída tipo N fêmea, além de interfaces de controle D-Sub para conectividade perfeita.
Seja em laboratórios de P&D ou em aplicações de campo, este amplificador de potência de 2 a 8 GHz oferece desempenho confiável e de alta eficiência, tornando-o um componente essencial em ambientes avançados de comunicação sem fio e testes eletrônicos.
Amplificador de potência de estado sólido de 50 W, 2-8 GHz
Descrição do produto
Este é um amplificador de potência de estado sólido de alto ganho, com faixa de operação de 2 a 8 GHz e potência de saturação ≥46,5 dBm, projetado com tecnologia GaN de última geração. Possui maior potência de saída saturada, mantendo um P1dB elevado e melhor linearidade, e pode se adaptar a diversos modos de sinal, como onda contínua, pulso, sinal de ampla largura de banda instantânea, sinal de modulação de alta ordem, etc. É projetado para aplicações como 5G, LTE, Wi-Fi, testes de EMC, entre outras.
Especificações elétricas
| Frequência de trabalho | 2-8 GHz | ||
| Potência de saída saturada | dBm | Típ./Mín. | 48,5/46,5@ Pino=0dBm |
| P1dB | dBm | Típ./Mín. | 41/36 |
| Ganho | dB | Típ./Mín. | 48,5/46,5@ Pino=0dBm |
| Planicidade de ganho | dB | Tipo. | ±1,5@ Pino=0dBm |
| Ganho de sinal pequeno | UM | Tipo. | 60@ Pino = -30dBm |
| Planicidade do ganho de sinal pequeno | :1 | Tipo. | ±2,5@ Pino=-30dBm |
| Isolamento@ Status Desativado | dB | Tipo. | 90 |
| Potência de entrada | dBm | Tipo. | 0 |
| Supressão do 2º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -25/-10@ Pout=46,5dBm |
| Supressão do 3º Harmônico | dBc | Típ./Máx. | -25/-15@ Pout=46,5dBm |
| Supressão Espúria | dBc | Típ./Máx. | -70/-65@ Pout=46,5dBm |
| VSWR de entrada | :1 | Típ./Máx. | 1,5/2 |
| Hora de mudar | nós | Tipo. | 2 a 1 kHz TTL, Pino = 0 dBm |
| Tensão de alimentação | Em | Tipo. | 28 |
| Consumo de energia | EM | Típ./Máx. | 500@ Pino=0dBm |
| Potência de entrada | Pino≤10dBm (Nível de RF de entrada sem danos) | ||
| VSWR de carga | VSWR≤3:1 (Pout=46,5dBm) | ||
| Tensão de alimentação | Amplificador desligado (Tensão de alimentação ≥ 32 V ou ≤ 24 V) | ||
| Corrente de fornecimento | Amplificador desligado (Corrente de alimentação ≥ 40A) | ||
| Degradação Térmica | 75℃ | ||
| Conector de entrada RF | TIPO SMA F | ||
| Conector de saída RF | TIPO NF | ||
| Conector de alimentação | D-Sub 7W2 M | ||
| Conector de controle | D-Sub 7W2 M | ||
| Dimensão | 160x120x20mm (Tolerância +0,5) | ||
| Peso | 2kg | ||
| Tratamento de superfície | oxidação condutiva natural | ||
| Indicador de temperatura | Operação: -10℃ a +55℃; Armazenamento: -40℃ a +75℃ | ||
| Dissipação de calor | Resfriamento externo por ar (é necessário selecionar as condições de dissipação de calor adequadas à temperatura do produto). | ||
| Ambiental | N / D | ||