5Gテスト用、高直線性を備えた超広帯域2～8GHz 50W RFパワーアンプSSPA

この2～8GHz、50Wのソリッドステートパワーアンプは、RF増幅技術の最先端を体現しています。高度なGaN設計を採用し、広い周波数範囲にわたって優れた電力性能と直線性を実現。標準飽和出力電力は48.5dBm、P1dBは41dBmです。高ゲインとフラットな周波数特性により、連続波、パルス、広帯域瞬時信号、高次変調信号など、多様な信号タイプに対応可能。現代の通信およびテスト用途に最適です。

このアンプは、過熱、過負荷、過VSWR保護などの包括的な保護機能を備えており、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を保証します。また、ファンアラームシステムと外部空冷による効率的な熱管理機能も搭載しており、-10℃～+55℃の温度範囲で動作します。

5Gシステム、LTEネットワーク、Wi-Fiインフラ、EMC試験、防衛電子機器、レーダーシステムなどでの使用に最適なこの高出力RFアンプは、堅牢な性能と高い集積性を備えています。160×120×20mmのコンパクトなサイズとわずか2kgの重量で、様々なシステムへの容易な統合を実現します。本機は、SMAメス入力コネクタとN型メス出力コネクタに加え、シームレスな接続を可能にするD-Sub制御インターフェースを備えています。

研究開発ラボでも現場でのアプリケーションでも、この2～8GHzパワーアンプは信頼性の高い高効率性能を発揮するため、高度な無線通信および電子機器テスト環境において不可欠なコンポーネントとなります。

2～8GHz 50Wソリッドステートパワーアンプ

製品説明

これは、最先端のGaN設計技術を採用した、2～8GHz、飽和電力46.5dBm以上の高利得ソリッドステートパワーアンプです。高い飽和出力電力を維持しながら、高いP1dBと優れた直線性を実現し、連続波、パルス、広帯域瞬時信号、高次変調信号など、さまざまな信号モードに対応できます。5G、LTE、Wi-Fi、EMC試験などの用途向けに設計されています。

電気仕様