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Amplificatore di potenza RF SSPA a banda ultralarga da 2-8 GHz e 50 W con elevata linearità per test 5G.
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Amplificatore di potenza RF SSPA a banda ultralarga da 2-8 GHz e 50 W con elevata linearità per test 5G.

Questo amplificatore di potenza a stato solido da 50 W e 2-8 GHz sfrutta la tecnologia GaN all'avanguardia per erogare una potenza di uscita satura fino a 46,5 dBm con un'eccellente linearità. È caratterizzato da un elevato guadagno, una bassa distorsione armonica e un'efficiente gestione termica, supportando vari tipi di segnale, tra cui CW, impulsi, banda larga e segnali modulati di ordine superiore. Grazie alle protezioni integrate contro surriscaldamento, sovraccarico e VSWR, è ideale per applicazioni di test 5G, LTE, Wi-Fi e compatibilità elettromagnetica (EMC). Compatto e robusto, rappresenta una soluzione affidabile per sistemi RF e di comunicazione avanzati.

    Questo amplificatore di potenza a stato solido da 50 W e 2-8 GHz rappresenta l'avanguardia della tecnologia di amplificazione RF. Realizzato con un design GaN avanzato, offre prestazioni di potenza e linearità eccezionali su un'ampia gamma di frequenze, con una potenza di uscita satura tipica di 48,5 dBm e un P1dB di 41 dBm. Il suo elevato guadagno e la risposta piatta lo rendono in grado di gestire una varietà di tipi di segnale, inclusi segnali a onda continua, impulsi, ampia larghezza di banda istantanea e segnali modulati di ordine elevato, risultando ideale per le moderne applicazioni di comunicazione e test.

    L'amplificatore è dotato di complete funzioni di protezione, tra cui protezione da sovratemperatura, sovraccarico e VSWR eccessivo, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili. Include inoltre un sistema di allarme per la ventola e un'efficiente gestione termica supportata da raffreddamento ad aria esterna, con funzionamento in un intervallo di temperatura compreso tra -10℃ e +55℃.

    Ideale per l'utilizzo in sistemi 5G, reti LTE, infrastrutture Wi-Fi, test EMC, elettronica per la difesa e sistemi radar, questo amplificatore RF ad alta potenza offre prestazioni robuste e un'elevata capacità di integrazione. Con dimensioni compatte di 160x120x20 mm e un peso di soli 2 kg, è progettato per una facile integrazione in diverse configurazioni. L'unità è dotata di connettori di ingresso SMA femmina e di uscita N-type femmina, oltre a interfacce di controllo D-Sub per una connettività senza interruzioni.

    Sia che venga impiegato in laboratori di ricerca e sviluppo o in applicazioni sul campo, questo amplificatore di potenza da 2-8 GHz offre prestazioni affidabili ed efficienti, risultando un componente essenziale negli ambienti avanzati di comunicazione wireless e di test elettronici.

    Amplificatore di potenza a stato solido da 50 W, 2-8 GHz

    Descrizione del prodotto

    Si tratta di un amplificatore di potenza a stato solido ad alto guadagno, operante nella banda 2-8 GHz, con potenza di saturazione ≥46,5 dBm e tecnologia GaN all'avanguardia. Offre una maggiore potenza di uscita di saturazione, mantenendo un P1dB più elevato e una migliore linearità, ed è in grado di adattarsi a diverse modalità di segnale, come onda continua, impulsi, segnali a banda larga istantanea, segnali di modulazione di ordine superiore, ecc. È progettato per applicazioni quali 5G, LTE, Wi-Fi, test EMC e altro ancora.

    Specifiche elettriche

    Frequenza di lavoro

    2-8 GHz

    Potenza di uscita satura

    dBm

    Tip./Min.

    48,5/46,5@ Pin=0dBm

    P1dB

    dBm

    Tip./Min.

    41/36

    Guadagno

    dB

    Tip./Min.

    48,5/46,5@ Pin=0dBm

    Guadagno Flatness

    dB

    Tipo.

    ±1,5@ Pin=0dBm

    Guadagno di piccoli segnali

    UN

    Tipo.

    60@ Pin=-30dBm

    Planarità del guadagno per piccoli segnali

    :1

    Tipo.

    ±2,5@ Pin=-30dBm

    Isolamento@ Stato disabilitato

    dB

    Tipo.

    90

    Potenza in ingresso

    dBm

    Tipo.

    0

    Soppressione della seconda armonica

    dBc

    Tip./Max.

    -25/-10@ Pout=46.5dBm

    Soppressione della terza armonica

    dBc

    Tip./Max.

    -25/-15@ Pout=46.5dBm

    Soppressione spuria

    dBc

    Tip./Max.

    -70/-65@ Pout=46,5dBm

    VSWR in ingresso

    :1

    Tip./Max.

    1,5/2

    Tempo di commutazione

    noi

    Tipo.

    2 a 1 kHz TTL, Pin=0 dBm

    Tensione di alimentazione

    In

    Tipo.

    28

    Consumo energetico

    IN

    Tip./Max.

    500@ Pin=0dBm

    Potenza in ingresso

    Pin≤10dBm (livello RF in ingresso senza danni)

    Carico VSWR

    VSWR≤3:1 (Pout=46,5dBm)

    Tensione di alimentazione

    Spegnere l'amplificatore (tensione di alimentazione ≥ 32 V o ≤ 24 V).

    Fornitura corrente

    Spegnere l'amplificatore (corrente di alimentazione ≥ 40 A)

    Degradazione termica

    75℃

    Connettore di ingresso RF

    TIPO SMA F

    Connettore di uscita RF

    TIPO NF

    Connettore di alimentazione

    D-Sub 7W2 M

    Connettore di controllo

    D-Sub 7W2 M

    Dimensione

    160x120x20mm (Tolleranza +0,5)

    Peso

    2 kg

    Trattamento superficiale

    Ossidazione conduttiva naturale

    Indicatore di temperatura

    Temperatura di esercizio: -10℃~+55℃; Temperatura di stoccaggio: -40℃~+75℃

    Dissipazione del calore

    Raffreddamento ad aria esterna (è necessario selezionare le condizioni di dissipazione del calore appropriate in base alla temperatura del prodotto)

    Ambientale

    N / A

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