Módulo de RF amplificador de potencia de estado sólido (SSPA) de banda ultraancha de 500-6000 MHz y 100 W para pruebas de 5G y EMC.
Este es un módulo amplificador de RF de banda ancha y alta potencia diseñado con tecnología avanzada de nitruro de galio (GaN), diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones modernas de comunicación inalámbrica y pruebas. Opera en todo el rango de Rango de frecuencia de 0,5 a 6 GHz, entrega hasta Potencia de salida saturada de 100 W y ganancia de 51 dB., con una linealidad excepcional y una baja distorsión armónica, lo que le permite manejar ondas continuas, señales pulsadas y formas de onda moduladas de amplio ancho de banda instantáneo con alta eficiencia.
Este amplificador de potencia GaN Es ideal para sistemas 5G, LTE y WiFi, donde mejora la cobertura de la señal y la calidad de la transmisión. En entornos de pruebas de compatibilidad electromagnética (CEM), su alta potencia de salida y excelente pureza espectral lo convierten en la opción ideal para pruebas de inmunidad radiada y emisiones conducidas. Además, el amplificador se utiliza ampliamente en comunicaciones militares, guerra electrónica, radar y sistemas de comunicación por satélite que requieren un ancho de banda amplio y alta fiabilidad.
El módulo incorpora un sistema de refrigeración por aire forzado, opera en un rango de temperatura de -10 °C a +55 °C y cuenta con una clasificación de impermeabilidad IP67, lo que garantiza su durabilidad en condiciones adversas. Incluye mecanismos de protección integrales, como protección contra sobretemperatura, sobrecorriente y sobre-VSWR, que protegen el amplificador durante su funcionamiento. El control y la alimentación se realizan mediante un conector D-Sub, que permite la activación/desactivación remota y la monitorización del estado en tiempo real para una fácil integración en el sistema.
| Rango de frecuencia | 0,5-6 GHz | ||
| Potencia de salida saturada | dBm | Típ./Mín. | 51/49@ Pin=0dBm |
| P1dB | dBm | Típ./Mín. | 47/44 |
| Ganar | dB | Típ./Mín. | 51/49@ Pin=0dBm |
| Ganancia de planitud | dB | Tipo. | ±2,5 a Pin=0 dBm |
| Ganancia de señal pequeña | A | Tipo. | 64@ Pin=-40dBm |
| Planitud de ganancia de señal pequeña | :1 | Tipo. | ±3,5 a Pin = -40 dBm |
| Aislamiento@ Estado de deshabilitación | Tipo. | 90 | |
| Potencia de entrada | dBm | Tipo. | 0 |
| Supresión del segundo armónico | dBc | Típ./Máx. | -20/-15 a Pout=45dBm |
| Supresión del tercer armónico | dBc | Típ./Máx. | -25/-20 a Pout=45dBm |
| Supresión espuria | dBc | Típ./Máx. | -70/-65 a Pout=45dBm |
| VSWR de entrada | :1 | Típ./Máx. | 1,5/2 |
| Tensión de alimentación | En | Tipo. | 32 |
| Consumo de energía | EN | Típ./Máx. | 550@ Pin=0dBm |
| Potencia de entrada | Pin ≤ 10 dBm (Nivel de RF de entrada sin daños) | ||
| Carga VSWR | VSWR≤3:1 (El amplificador de potencia no está dañado) | ||
| Degradación térmica | 75℃ | ||
| Conector RF | Entrada: SMA [F]; Salida: TIPO N [F] | ||
| Conector de alimentación | D-Sub 7W2 | ||
| Conector de control | D-Sub 7W2 | ||
| Dimensión | mm | 276,0 x 206,5 x 100,0 (largo x ancho x alto) (tolerancia: ±0,5) | |
| Peso | gramo | Máximo. | 6000 |
| Refinamiento | Iridita de aleación | ||
| Temperatura | Funcionamiento: -10℃~+55℃; Almacenamiento: -40℃~+75℃ | ||
| Disipación de calor | La unidad se enfría mediante aire forzado. | ||
| Cables impermeables | IP67 | ||
| Ambiental | N / A | ||