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超広帯域500~6000MHz 100WソリッドステートパワーアンプRFモジュールSSPA(5GおよびEMC試験用)
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超広帯域500~6000MHz 100WソリッドステートパワーアンプRFモジュールSSPA(5GおよびEMC試験用)

これは、最先端のGaN技術を活用した高性能ソリッドステートパワーアンプで、0.5~6GHzの周波数範囲で動作し、最大100Wの飽和出力と51dBのゲインを実現します。優れた直線性と高調波抑制性能を備え、連続波、パルス、高次変調信号に対応します。5G、LTE、WiFi、EMC試験、軍事通信、レーダーシステムに最適で、過熱、過電流、過VSWRに対する包括的な保護機能を備えています。IP67防水規格に準拠したコンパクトな合金筐体に収められており、過酷な環境下でも高い信頼性を発揮します。

    これは、最新の無線通信およびテストアプリケーションの要求を満たすように設計された、高度な窒化ガリウム(GaN)技術で設計された広帯域高出力RFアンプモジュールです。 0.5~6GHzの周波数範囲最大で 飽和出力100W、ゲイン51dB優れた直線性と低い高調波歪みにより、連続波、パルス信号、および広帯域の瞬時変調波形を高効率で処理することが可能です。

    これ GaNパワーアンプ 本製品は、5G、LTE、WiFiシステムに最適で、信号カバレッジと伝送品質を向上させます。EMC試験環境においては、その高い出力電力と優れたスペクトル純度により、放射耐性試験および伝導性エミッション試験に理想的な選択肢となります。さらに、広帯域幅と高い信頼性が求められる軍事通信、電子戦、レーダー、衛星通信システムなどにも幅広く使用されています。

    このモジュールは強制空冷システムを採用し、-10℃~+55℃の温度範囲で動作し、IP67の防水性能を備えているため、過酷な環境下でも耐久性を確保します。過熱、過電流、過VSWRなどの包括的な保護機構を搭載し、動作中のアンプを保護します。制御と電源供給はD-Subコネクタを介して行われ、リモートでの有効化/無効化やリアルタイムの状態監視に対応しているため、システムへの統合が容易です。

    周波数範囲

    0.5~6GHz

    飽和出力電力

    dBm

    標準値/最小値

    51/49@ Pin=0dBm

    P1dB

    dBm

    標準値/最小値

    47/44

    dB

    標準値/最小値

    51/49@ Pin=0dBm

    ゲインの平坦性

    dB

    タイプ。

    ±2.5@ Pin=0dBm

    小信号利得

    A

    タイプ。

    64@ Pin=-40dBm

    小信号利得の平坦性

    :1

    タイプ。

    ±3.5@ Pin=-40dBm

    隔離@無効状態

    タイプ。

    90

    入力電力

    dBm

    タイプ。

    0

    第2高調波抑制

    dBc

    標準値/最大値

    -20/-15@ Pout=45dBm

    第3高調波抑制

    dBc

    標準値/最大値

    -25/-20@ Pout=45dBm

    偽抑制

    dBc

    標準値/最大値

    -70/-65@ Pout=45dBm

    入力VSWR

    :1

    標準値/最大値

    1.5/2

    供給電圧

    タイプ。

    32

    消費電力

    標準値/最大値

    550@ Pin=0dBm

    入力電力

    Pin≤10dBm(損傷のない入力RFレベル)

    VSWRを負荷する

    VSWR≦3:1(パワーアンプは損傷していません)

    熱分解

    75℃

    RFコネクタ

    入力:SMA [F]、出力:TYPE N [F]

    電源コネクタ

    D-Sub 7W2

    コントロールコネクタ

    D-Sub 7W2

    寸法

    mm

    276.0×206.5×100.0(長さ×幅×高さ)(許容誤差:±0.5)

    重さ

    g

    最大。

    6000

    仕上げ

    合金イリダイト

    温度

    動作温度:-10℃~+55℃、保管温度:-40℃~+75℃

    放熱

    ユニットは強制空冷式です

    防水ワイヤー

    IP67

    環境

    該当なし

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