Ultrabreitbandiger 500–6000 MHz 100-W-Halbleiter-Leistungsverstärker (SSPA) für 5G- und EMV-Prüfungen

Dies ist ein breitbandiges Hochleistungs-HF-Verstärkermodul, das mit fortschrittlicher Galliumnitrid-Technologie (GaN) entwickelt wurde, um die Anforderungen moderner drahtloser Kommunikations- und Testanwendungen zu erfüllen. Es arbeitet im gesamten Frequenzbereich. Frequenzbereich 0,5–6 GHzEs liefert bis zu 100 W gesättigte Ausgangsleistung und 51 dB VerstärkungMit hervorragender Linearität und geringer harmonischer Verzerrung ist es in der Lage, kontinuierliche Wellen, gepulste Signale und modulierte Wellenformen mit großer momentaner Bandbreite mit hoher Effizienz zu verarbeiten.

Das GaN-Leistungsverstärker Es eignet sich ideal für 5G-, LTE- und WLAN-Systeme, da es die Signalabdeckung und Übertragungsqualität verbessert. In EMV-Prüfumgebungen machen seine hohe Ausgangsleistung und exzellente Spektralreinheit es zur idealen Wahl für Störfestigkeits- und Emissionsprüfungen. Darüber hinaus findet der Verstärker breite Anwendung in militärischen Kommunikations-, Elektronikkriegsführungs-, Radar- und Satellitenkommunikationssystemen, die eine hohe Bandbreite und Zuverlässigkeit erfordern.

Das Modul verfügt über ein Zwangsluftkühlsystem, arbeitet in einem Temperaturbereich von -10 °C bis +55 °C und ist nach IP67 wasserdicht, was seine Langlebigkeit auch unter rauen Bedingungen gewährleistet. Umfassende Schutzmechanismen wie Übertemperatur-, Überstrom- und VSWR-Übersteuerung schützen den Verstärker im Betrieb. Steuerung und Stromversorgung erfolgen über einen D-Sub-Anschluss, der Fernaktivierung/-deaktivierung und Echtzeit-Statusüberwachung für eine einfache Systemintegration ermöglicht.