Module RF d'amplificateur de puissance à semi-conducteurs ultra large bande 500-6000 MHz 100 W (SSPA) pour tests 5G et CEM
Il s'agit d'un module amplificateur RF haute puissance à large bande, conçu avec la technologie avancée du nitrure de gallium (GaN), pour répondre aux exigences des applications modernes de communication et de test sans fil. Fonctionnant sur toute la bande de fréquences… Gamme de fréquences de 0,5 à 6 GHz, il livre jusqu'à Puissance de sortie saturée de 100 W et gain de 51 dB, avec une linéarité exceptionnelle et une faible distorsion harmonique, ce qui lui permet de traiter avec une grande efficacité les signaux à ondes continues, les signaux pulsés et les formes d'onde modulées à large bande passante instantanée.
Ce Amplificateur de puissance GaN Il est parfaitement adapté aux systèmes 5G, LTE et Wi-Fi, auxquels il améliore la couverture du signal et la qualité de transmission. Dans les environnements de test CEM, sa puissance de sortie élevée et son excellente pureté spectrale en font un choix idéal pour les tests d'immunité rayonnée et d'émissions conduites. De plus, cet amplificateur est largement utilisé dans les communications militaires, la guerre électronique, les radars et les systèmes de communication par satellite qui exigent une large bande passante et une grande fiabilité.
Ce module est doté d'un système de refroidissement par air forcé, fonctionne dans une plage de températures allant de -10 °C à +55 °C et bénéficie d'un indice de protection IP67 contre l'eau, garantissant sa durabilité même dans des conditions difficiles. Il intègre des mécanismes de protection complets contre la surchauffe, la surintensité et le TOS excessif, assurant ainsi la sécurité de l'amplificateur pendant son fonctionnement. L'alimentation et le contrôle sont assurés par un connecteur D-Sub, permettant l'activation/désactivation à distance et la surveillance en temps réel de l'état du module pour une intégration système simplifiée.
| Gamme de fréquences | 0,5-6 GHz | ||
| Puissance de sortie saturée | dBm | Typ./Min. | 51/49@ Pin=0dBm |
| P1dB | dBm | Typ./Min. | 47/44 |
| Gagner | dB | Typ./Min. | 51/49@ Pin=0dBm |
| Gain de platitude | dB | Taper. | ±2,5 à Pin=0 dBm |
| Gain en petit signal | UN | Taper. | 64@ Pin=-40dBm |
| Linéarité du gain en petits signaux | :1 | Taper. | ±3,5 à Pin=-40 dBm |
| Isolement@ Statut désactivé | Taper. | 90 | |
| Puissance d'entrée | dBm | Taper. | 0 |
| Suppression de la seconde harmonique | dBc | Typ./Max. | -20/-15@ Pout=45dBm |
| Suppression de la 3e harmonique | dBc | Typ./Max. | -25/-20@ Pout=45dBm |
| Suppression fallacieuse | dBc | Typ./Max. | -70/-65@ Pout=45dBm |
| ROS d'entrée | :1 | Typ./Max. | 1,5/2 |
| Tension d'alimentation | Dans | Taper. | 32 |
| Consommation d'énergie | DANS | Typ./Max. | 550@ Pin=0dBm |
| Puissance d'entrée | Pin≤10dBm (Niveau RF d'entrée sans dommage) | ||
| ROS de charge | ROS ≤ 3:1 (L'amplificateur de puissance n'est pas endommagé) | ||
| Dégradation thermique | 75℃ | ||
| Connecteur RF | Entrée : SMA [F] ; Sortie : TYPE N [F] | ||
| Connecteur d'alimentation | D-Sub 7W2 | ||
| Connecteur de commande | D-Sub 7W2 | ||
| Dimension | mm | 276,0 x 206,5 x 100,0 (L x l x H) (tolérance : ±0,5) | |
| Poids | g | Max. | 6000 |
| Finition | iridite d'alliage | ||
| Température | Température de fonctionnement : -10℃ à +55℃ ; Température de stockage : -40℃ à +75℃ | ||
| Dissipation de la chaleur | L'unité est refroidie par un système de ventilation forcée. | ||
| Câbles étanches | IP67 | ||
| Environnement | N / A | ||