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Módulo amplificador de potencia SSPA de banda ultraancha de 2000-6000 MHz y 300 W con tecnología GaN para guerra electrónica.
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Módulo amplificador de potencia SSPA de banda ultraancha de 2000-6000 MHz y 300 W con tecnología GaN para guerra electrónica.

Este amplificador de potencia de estado sólido (SSPA) de 300 W opera de 2 a 6 GHz y admite señales CW/pulsadas con una salida de saturación de ≥54,8 dBm. Gracias a la tecnología GaN, que proporciona una planitud de potencia de ±2 dB y una variación de ganancia inferior a 4 dB, ofrece una supresión de señales espurias superior a 60 dBc. La protección integrada contra ROE, sobretemperatura y polaridad inversa, la alimentación de 32 V CC y el control RS485 lo hacen ideal para pruebas de guerra electrónica, radar y 5G.

    El banda ultraancha Amplificador de señal de estado sólido (SSPA) de 300 W (2-6 GHz) apalancamiento Tecnología GaN to proporcionar amplificación de RF de alta eficiencia para aplicaciones exigentes. Operando en 2000-6000MHz, logra Potencia de saturación ≥54,8 dBm (300 W) con una planitud de ±2 dB y una variación de ganancia

    Superioridad técnica:

    • Distorsión ultrabaja: Supresión de armónicos >10 dBc y rechazo de espurias no armónicas >60 dBc a plena potencia, superando los requisitos de la norma MIL-STD-EMC.

    • Medidas de seguridad inteligentes: Apagado automático para VSWR de salida ≥ 5:1, protección contra fallas de voltaje de 26-34 V y protección térmica (corte a 85 ℃/recuperación a 65 ℃).

    • Control de alta velocidad: Conmutación de potencia en

    Construcción robusta:
    El chasis de aluminio anodizado (365 × 200 × 30 mm) optimiza la gestión térmica. La salida tipo N (hembra) admite una potencia continua de 300 W, mientras que la entrada SMA y el puerto de control DB9 simplifican la integración. La comunicación serie RS485 permite la monitorización en tiempo real y el control remoto.

    Valor de la aplicación:
    Fundamental para la interferencia de guerra electrónica (EW), transmisores de radar, enlaces ascendentes satelitales y sistemas de prueba 5G FR2. Su cobertura de banda ultraancha de 2 a 6 GHz elimina la necesidad de configuraciones con múltiples unidades, y su potencia de estado sólido de 300 W reemplaza a los amplificadores TWT con un consumo de CC un 40 % menor y una vida útil cinco veces mayor. Funciona en entornos de -40 °C a +60 °C, lo que lo hace adecuado para cargas útiles de UAV y plataformas militares móviles.

    Especificaciones eléctricas

    Frecuencia de trabajo

    2000-6000 MHz

    Tipo de señal de entrada

    CW y pulsada

    Controlador de entrada de RF

    5±2 dBm

    Potencia de salida saturada

    ≥54,8 dBm

    Planitud @Psat

    ±2 dB máximo

    Ganancia de planitud

    Armónicos a máxima potencia

    >10 dBc

    Distorsiones no armónicas espurias a potencia máxima

    >60 dBc

    VSWR de salida

    ≤2

    VSWR de entrada

    ≤2

    Hora de encendido/apagado

    Encendido/apagado TTL

    0/3,3 V (Encendido: 0 V; Apagado: 3,3 V. Valor predeterminado: 0 V)

    Voltaje de funcionamiento

    32V

    Impedancia

    50 ohmios

    Protección

    1. Protección VSWR de salida (VSWR de salida ≥ 5:1, apagado del amplificador y alarma)
    2. Protección contra polaridad inversa
    3. Protección contra sobrecalentamiento (temperatura superior a 85 °C: el amplificador se apaga; temperatura inferior a 65 °C: el amplificador se enciende).
    4. Protección contra sobretensión y subtensión (tensión superior a 34 V e inferior a 26 V; el amplificador se apaga).

    Modelo de comunicación

    Comunicación serial RS485

    Conector de entrada RF

    SMA [F]

    Conexión de salida RF

    TIPO N [F]

    Conector de alimentación

    4W4

    Control

    DB9

    Dimensión

    365x200x30 (largo x ancho x alto) (tolerancia: ±1)

    Peso

    Refinamiento

    Aleación iridit

    Temperatura de funcionamiento

    -40°C~+60°C

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