Módulo amplificador de potencia SSPA de banda ultraancha de 2000-6000 MHz y 300 W con tecnología GaN para guerra electrónica.
El banda ultraancha Amplificador de señal de estado sólido (SSPA) de 300 W (2-6 GHz) apalancamiento Tecnología GaN to proporcionar amplificación de RF de alta eficiencia para aplicaciones exigentes. Operando en 2000-6000MHz, logra Potencia de saturación ≥54,8 dBm (300 W) con una planitud de ±2 dB y una variación de ganancia
Superioridad técnica:
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Distorsión ultrabaja: Supresión de armónicos >10 dBc y rechazo de espurias no armónicas >60 dBc a plena potencia, superando los requisitos de la norma MIL-STD-EMC.
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Medidas de seguridad inteligentes: Apagado automático para VSWR de salida ≥ 5:1, protección contra fallas de voltaje de 26-34 V y protección térmica (corte a 85 ℃/recuperación a 65 ℃).
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Control de alta velocidad: Conmutación de potencia en
Construcción robusta:
El chasis de aluminio anodizado (365 × 200 × 30 mm) optimiza la gestión térmica. La salida tipo N (hembra) admite una potencia continua de 300 W, mientras que la entrada SMA y el puerto de control DB9 simplifican la integración. La comunicación serie RS485 permite la monitorización en tiempo real y el control remoto.
Valor de la aplicación:
Fundamental para la interferencia de guerra electrónica (EW), transmisores de radar, enlaces ascendentes satelitales y sistemas de prueba 5G FR2. Su cobertura de banda ultraancha de 2 a 6 GHz elimina la necesidad de configuraciones con múltiples unidades, y su potencia de estado sólido de 300 W reemplaza a los amplificadores TWT con un consumo de CC un 40 % menor y una vida útil cinco veces mayor. Funciona en entornos de -40 °C a +60 °C, lo que lo hace adecuado para cargas útiles de UAV y plataformas militares móviles.
| Especificaciones eléctricas | |
| Frecuencia de trabajo | 2000-6000 MHz |
| Tipo de señal de entrada | CW y pulsada |
| Controlador de entrada de RF | 5±2 dBm |
| Potencia de salida saturada | ≥54,8 dBm |
| Planitud @Psat | ±2 dB máximo |
| Ganancia de planitud |
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| Armónicos a máxima potencia | >10 dBc |
| Distorsiones no armónicas espurias a potencia máxima | >60 dBc |
| VSWR de salida | ≤2 |
| VSWR de entrada | ≤2 |
| Hora de encendido/apagado |
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| Encendido/apagado TTL | 0/3,3 V (Encendido: 0 V; Apagado: 3,3 V. Valor predeterminado: 0 V) |
| Voltaje de funcionamiento | 32V |
| Impedancia | 50 ohmios |
| Protección |
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| Modelo de comunicación | Comunicación serial RS485 |
| Conector de entrada RF | SMA [F] |
| Conexión de salida RF | TIPO N [F] |
| Conector de alimentación | 4W4 |
| Control | DB9 |
| Dimensión | 365x200x30 (largo x ancho x alto) (tolerancia: ±1) |
| Peso |
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| Refinamiento | Aleación iridit |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C~+60°C |