電子戦向けGaN技術搭載超広帯域2000~6000MHz 300W SSPAパワーアンプモジュール
の 超広帯域 300W SSPA (2-6GHz) 活用する GaNテクノロジー高効率RF増幅を実現する 要求の厳しいアプリケーション。 2000~6000MHzでは、 飽和電力は54.8dBm(300W)以上で、±2dBの平坦性と4dB未満のゲイン変動を実現し、超広帯域にわたって均一な性能を保証します。
技術的優位性:
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超低歪み: 最大出力時において、10dBcを超える高調波抑制と60dBcを超える非高調波スプリアス除去を実現し、MIL-STD-EMCの要件を上回ります。
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インテリジェントな安全対策出力VSWRが5:1以上の場合の自動シャットダウン、26~34Vの電圧異常保護、および過熱保護(85℃遮断/65℃復帰)機能を備えています。
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高速制御: TTLロジック(0V ON/3.3V OFF)による10μs未満の電力スイッチングが可能で、パルスレーダーシステムに最適です。
堅牢な構造:
陽極酸化アルミニウム製シャーシ(365×200×30mm)により、熱管理を最適化。Type-N(F)出力は300Wの連続電力に対応し、SMA入力とDB9制御ポートにより統合が容易です。RS485シリアル通信により、リアルタイム監視とリモート操作が可能です。
アプリケーションの価値:
電子戦(EW)妨害、レーダー送信機、衛星アップリンク、5G FR2テストシステムに不可欠な製品です。2~6GHzの超広帯域カバレッジにより、複数ユニット構成が不要となり、300Wのソリッドステート電源により、TWTアンプに代わり、DC消費電力を40%削減し、寿命を5倍に延ばします。-40℃~+60℃の環境下で動作するため、UAVペイロードや移動式軍事プラットフォームにも適しています。
| 電気仕様 | |
| 動作周波数 | 2000~6000MHz |
| 入力信号タイプ | CWとパルス |
| RF入力駆動 | 5±2dBm |
| 飽和出力 | ≥54.8dBm |
| フラットネス @Psat | ±2dB 最大 |
| ゲインの平坦性 |
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| 最大出力時の高調波 | >10dBc |
| 最大電力における非高調波スプリアス | >60dBc |
| 出力VSWR | ≤2 |
| 入力VSWR | ≤2 |
| 電源オン/オフ時間 | 10米ドル未満 |
| 電源オン/オフ TTL | 0/3.3V(電源オン:0V、電源オフ:3.3V デフォルト値:0V) |
| 動作電圧 | 32V |
| インピーダンス | 50オーム |
| 保護 |
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| コミュニケーションモデル | RS485シリアル通信 |
| RF入力コネクタ | SMA [F] |
| RF出力接続 | タイプN [F] |
| 電源コネクタ | 4W4 |
| コントロール | DB9 |
| 寸法 | 365x200x30(長さx幅x高さ)(許容誤差:±1) |
| 重さ | 4500g未満 |
| 仕上げ | 合金イリディット |
| 動作温度 | -40℃~+60℃ |