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Module amplificateur de puissance SSPA ultra large bande 2000-6000 MHz 300 W avec technologie GaN pour la guerre électronique
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Module amplificateur de puissance SSPA ultra large bande 2000-6000 MHz 300 W avec technologie GaN pour la guerre électronique

Cet amplificateur de puissance à semi-conducteurs (SSPA) de 300 W fonctionne de 2 à 6 GHz et prend en charge les signaux continus et pulsés avec une puissance de sortie saturée ≥ 54,8 dBm. Grâce à sa technologie GaN qui garantit une linéarité de puissance de ±2 dB et une variation de gain 60 dBc. Ses protections intégrées contre les ROS, la surchauffe et l'inversion de polarité, son alimentation 32 V CC et son interface de contrôle RS485 en font un outil idéal pour les applications de guerre électronique, les radars et les tests 5G.

    Le bande ultra-large Amplificateur de puissance à semi-conducteurs (SSPA) de 300 W (2-6 GHz) leviers La technologie GaNpour fournir une amplification RF à haut rendement pour Applications exigeantes. Fonctionnement sur l'ensemble du réseau 2000-6000 MHz, il atteint Puissance saturée ≥54,8 dBm (300 W) avec une planéité de ±2 dB et une variation de gain

    Supériorité technique:

    • Distorsion ultra-faible: >10 dBc de suppression des harmoniques et >60 dBc de rejet des parasites non harmoniques à pleine puissance, dépassant les exigences MIL-STD-EMC.

    • Protections intelligentes: Arrêt automatique pour VSWR de sortie ≥ 5:1, protection contre les défauts de tension 26-34 V et protection thermique (coupure à 85 °C/récupération à 65 °C).

    • Commande à grande vitesse: Commutation de puissance

    Construction robuste:
    Le châssis en aluminium anodisé (365 × 200 × 30 mm) optimise la gestion thermique. La sortie de type N (F) supporte une puissance continue de 300 W, tandis que l'entrée SMA et le port de contrôle DB9 simplifient l'intégration. La communication série RS485 permet la surveillance en temps réel et le pilotage à distance.

    Valeur d'application:
    Essentiel pour le brouillage de guerre électronique, les émetteurs radar, les liaisons montantes par satellite et les systèmes de test 5G FR2. Sa couverture ultra-large bande de 2 à 6 GHz élimine les configurations multi-unités, et sa puissance de 300 W à semi-conducteurs remplace les amplificateurs à tube à ondes progressives (TOP), avec une consommation CC réduite de 40 % et une durée de vie cinq fois supérieure. Fonctionnant dans des environnements de -40 °C à +60 °C, il convient aux charges utiles de drones et aux plateformes militaires mobiles.

    Spécifications électriques

    Fréquence de fonctionnement

    2000-6000 MHz

    Type de signal d'entrée

    CW et pulsé

    Circuit d'entrée RF

    5±2dBm

    Puissance de sortie saturée

    ≥54,8 dBm

    Platitude @Psat

    ±2 dB max.

    Gain de platitude

    Harmoniques à puissance maximale

    >10 dBc

    Non-harmoniques parasites à puissance maximale

    >60 dBc

    ROS de sortie

    ≤2

    ROS d'entrée

    ≤2

    Temps de mise sous/hors tension

    TTL marche/arrêt

    0/3,3 V (Mise sous tension : 0 V ; Mise hors tension : 3,3 V ; Valeur par défaut : 0 V)

    Tension de fonctionnement

    32V

    Impédance

    50 ohms

    Protection

    1. Protection contre le TOS de sortie (TOS de sortie ≥ 5:1, coupure de l'amplificateur et alarme)
    2. Protection contre l'inversion de polarité
    3. Protection contre la surchauffe (température supérieure à 85 °C, mise hors tension de l'amplificateur ; température inférieure à 65 °C, mise sous tension de l'amplificateur)
    4. Protection contre les surtensions et les sous-tensions (tension supérieure à 34 V et inférieure à 26 V ; mise hors tension de l'amplificateur)

    Modèle de communication

    Communication série RS485

    Connecteur d'entrée RF

    SMA [F]

    Sortie RF

    TYPE N [F]

    Connecteur d'alimentation

    4W4

    Contrôle

    DB9

    Dimension

    365 x 200 x 30 (L x l x H) (tolérance : ±1)

    Poids

    Finition

    iridit en alliage

    Température de fonctionnement

    -40°C à +60°C

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