Module amplificateur de puissance SSPA ultra large bande 2000-6000 MHz 300 W avec technologie GaN pour la guerre électronique
Le bande ultra-large Amplificateur de puissance à semi-conducteurs (SSPA) de 300 W (2-6 GHz) leviers La technologie GaNpour fournir une amplification RF à haut rendement pour Applications exigeantes. Fonctionnement sur l'ensemble du réseau 2000-6000 MHz, il atteint Puissance saturée ≥54,8 dBm (300 W) avec une planéité de ±2 dB et une variation de gain
Supériorité technique:
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Distorsion ultra-faible: >10 dBc de suppression des harmoniques et >60 dBc de rejet des parasites non harmoniques à pleine puissance, dépassant les exigences MIL-STD-EMC.
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Protections intelligentes: Arrêt automatique pour VSWR de sortie ≥ 5:1, protection contre les défauts de tension 26-34 V et protection thermique (coupure à 85 °C/récupération à 65 °C).
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Commande à grande vitesse: Commutation de puissance
Construction robuste:
Le châssis en aluminium anodisé (365 × 200 × 30 mm) optimise la gestion thermique. La sortie de type N (F) supporte une puissance continue de 300 W, tandis que l'entrée SMA et le port de contrôle DB9 simplifient l'intégration. La communication série RS485 permet la surveillance en temps réel et le pilotage à distance.
Valeur d'application:
Essentiel pour le brouillage de guerre électronique, les émetteurs radar, les liaisons montantes par satellite et les systèmes de test 5G FR2. Sa couverture ultra-large bande de 2 à 6 GHz élimine les configurations multi-unités, et sa puissance de 300 W à semi-conducteurs remplace les amplificateurs à tube à ondes progressives (TOP), avec une consommation CC réduite de 40 % et une durée de vie cinq fois supérieure. Fonctionnant dans des environnements de -40 °C à +60 °C, il convient aux charges utiles de drones et aux plateformes militaires mobiles.
| Spécifications électriques | |
| Fréquence de fonctionnement | 2000-6000 MHz |
| Type de signal d'entrée | CW et pulsé |
| Circuit d'entrée RF | 5±2dBm |
| Puissance de sortie saturée | ≥54,8 dBm |
| Platitude @Psat | ±2 dB max. |
| Gain de platitude |
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| Harmoniques à puissance maximale | >10 dBc |
| Non-harmoniques parasites à puissance maximale | >60 dBc |
| ROS de sortie | ≤2 |
| ROS d'entrée | ≤2 |
| Temps de mise sous/hors tension |
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| TTL marche/arrêt | 0/3,3 V (Mise sous tension : 0 V ; Mise hors tension : 3,3 V ; Valeur par défaut : 0 V) |
| Tension de fonctionnement | 32V |
| Impédance | 50 ohms |
| Protection |
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| Modèle de communication | Communication série RS485 |
| Connecteur d'entrée RF | SMA [F] |
| Sortie RF | TYPE N [F] |
| Connecteur d'alimentation | 4W4 |
| Contrôle | DB9 |
| Dimension | 365 x 200 x 30 (L x l x H) (tolérance : ±1) |
| Poids |
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| Finition | iridit en alliage |
| Température de fonctionnement | -40°C à +60°C |