Amplificador de potencia de banda ancha de 100 W (2-3 GHz)

El amplificador de alta potencia ZDTECH de 100 W y 2-3 GHz con transistores GaN HEMT admite 8 subbandas de frecuencia. Con una potencia de salida de 50 dBm en modo CW, una eficiencia superior al 25 % y una respuesta en frecuencia plana de 1 dB, ofrece una relación de onda estacionaria (VSWR) de entrada/salida de 1,5:1, un nivel de espurios de 50 dBc y alimentación de +28 V CC. Gracias a su disipación de calor mediante contacto con placa fría, funciona a temperaturas de entre -30 °C y +55 °C, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones de radiofrecuencia.

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Detalles del producto

El amplificador de alta potencia ZDTECH de 100 W y 0,4-6 GHz con transistores GaN es un dispositivo de amplificación de RF de alto rendimiento, construido con transistores GaN HEMT avanzados, que ofrece las ventajas principales de alta potencia y alta eficiencia. Cubre 8 subbandas desde 0,4-0,75 GHz hasta 5,5-6 GHz y admite el modo de operación CW (onda continua), proporcionando una potencia de salida estable de 50 dBm y una eficiencia superior al 25 % para reducir eficazmente el consumo de energía. Con una planitud de salida inferior a 1 dB, una relación de onda estacionaria (VSWR) de entrada/salida de 1,5:1 (solo entrada para 400-700 MHz y 750-1300 MHz) y un nivel de espurias tan bajo como 50 dBc, garantiza una transmisión de señal pura y estable.

Alimentado por una fuente de alimentación de +28 V CC, el dispositivo cuenta con un conector de salida N-KFD50 y requiere disipación de calor mediante contacto con placa fría para garantizar su estabilidad operativa. Opera en un rango de temperatura de -30 °C a +55 °C, adaptándose a entornos complejos. Además, admite lógica de control TTL de habilitación de alto nivel y funcionamiento normal de alto nivel, lo que lo hace ampliamente aplicable a diversos escenarios de RF, como comunicaciones, radar, pruebas y mediciones, proporcionando una solución fiable para necesidades de amplificación de señales de alta potencia.

Rango de frecuencia		0,4-0,75G/0,75-1,3G/1,3-2G/2-3G/3-4G/4-5G/5-5,5G/5,5-6G
Potencia de salida		50 dBm
Modo de funcionamiento		CW
Nivel espurio		50 dBc
Potencia de entrada		0±1 dBm
Eficiencia		>25%
Salida plana		1 dB
ROE de entrada/salida		1,5:1 (solo entrada de 400-700 MHz y 750-1300 MHz)
Conector de salida		N-KFD50
Rango de temperatura		-30℃~+55℃
Suministrar		+28V