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Amplificateur RF large bande 2-6 GHz 120 W à gain élevé de 50,8 dB pour dispositifs de communication radar et satellite
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Amplificateur RF large bande 2-6 GHz 120 W à gain élevé de 50,8 dB pour dispositifs de communication radar et satellite

L'amplificateur de puissance à semi-conducteurs large bande ZD Tech SP-1200 délivre une puissance de sortie élevée de 120 W (≥ 50,8 dBm) sur la bande 2 000-6 000 MHz et est conçu pour les applications RF critiques. Son architecture entièrement à semi-conducteurs garantit une fiabilité maximale, tandis que son gain de 50,8 dB permet d'optimiser la chaîne de signal avec un signal d'entrée de seulement 0 dBm.

    Amplificateur de puissance à semi-conducteurs à large bande Le ZD Tech SP-1200 délivre une puissance de sortie élevée de 120 W (≥ 50,8 dBm) sur la bande 2 000-6 000 MHz et est conçu pour les applications RF critiques. Son architecture entièrement à semi-conducteurs garantit une fiabilité maximale, tandis que son gain de 50,8 dB permet d'optimiser la chaîne de signal avec un niveau d'entrée de seulement 0 dBm.

    Performances clés

    • La capacité large bande prend en charge les communications 5G/radar/satcom avec une suppression des harmoniques ≤ 10 dBc

    • Adaptation d'impédance de 50 Ω, ROS entrée/sortie ≤ 2,0:1 et ≤ 2,2:1

    • Commutation ultra-rapide de 2 µs (à 1 kHz TTL) pour les systèmes pulsés

    • Protection multiple : surveillance en temps réel de la température, du TOS, des circuits ouverts/courts-circuits et des surintensités.

    Conception robuste
    Le châssis compact (200 × 150 × 25 mm, ≤ 3 kg) est doté d'une sortie femelle de type N et d'une entrée SMA pour une gestion de puissance élevée, avec prise en charge du refroidissement externe. Contrôle intelligent via D-Sub 7W2 :

    • Détection de courant (100 mV/A) et détection de température (10 mV/℃)

    • Commande d'activation TTL (0 V activé, 3,3 V désactivé)

    Scénarios de déploiement
    Cet amplificateur de puissance de 120 W a fait ses preuves sur le terrain dans les systèmes de guerre électronique de défense, les relais micro-ondes, les tests de compatibilité électromagnétique et les stations terrestres de satellites. Amplificateur de puissance à semi-conducteurs à large bande, il conserve sa stabilité entre -55 °C et +70 °C, garantissant un fonctionnement continu 24 h/24 et 7 j/7 pour les missions critiques.

    Fréquence de fonctionnement

    2000-6000 MHz

    Pouvoir

    120 W

    Moue

    ≥50,8 dBm

    Gagner

    ≥50,8 dB

    Épingle

    0 dBm

    Éperon

    ≤-60 dBc

    Impédance

    50Ω

    Suppression harmonique

    ≤-10 dBc

    ROS d'entrée

    ≤2,0:1

    ROS de sortie

    ≤2,2:1

    Heure de changement

    2 µs à 1 kHz TTL, Pin=0 dBm

    Tension de fonctionnement

    28V-32V CC

    Protection

    Protection contre la température, le TOS, les circuits ouverts, les courts-circuits et les surintensités

    Connecteur d'entrée RF

    SMA Femme

    Connecteur de sortie RF

    N Femme

    Alimentation

    D-Sub 7W2 Mâle

    Connecteur de commande

    D-Sub 7W2 Mâle

    Dimension

    200*150*25 mm (L*l*H) (Tolérance ±0,5)

    Poids

    ≤3kg

    Température de travail

    -10 à +40 °C

    Température de stockage

    -55 ~ +70℃

    Refroidissement

    Externe

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